CY62148E的MoBL
®
最大额定值
超出最大额定值可能会缩短的使用寿命
装置。用户指导未经过测试。
存储温度............................... -65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源采用.......................................... -55 ° C至+ 125°C
电源电压
地电位.................. -0.5 V至6.0 V（V
CCmax
+ 0.5 V)
直流电压应用到输出的
在高Z状态
.............. -0.5 V至6.0 V（V
CCmax
+ 0.5 V)
直流输入电压
.......... -0.5 V至6.0 V（V
CCmax
+ 0.5 V)
输出电流转换成输出（ LOW ） .............................. 20毫安
静电放电电压........................................... > 2001年V
（每MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流.............................................. ........ >200毫安
工作范围
设备
CY62148E
范围
环境
温度
V
CC
工业/
-40 ° C至+85°C 4.5 V至5.5 V
汽车-A
电气特性
在整个工作范围
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
描述
测试条件
45纳秒
民
2.4
–
2.2
–0.5
–
–1
–1
典型值
–
–
–
–
–
–
–
15
–
–
2
1
最大
–
0.4
V
CC
+ 0.5
0.8
–
+1
+1
20
2.5
7
民
2.4
–
2.2
–
–0.5
–1
–1
–
–
–
55纳秒
典型值
–
–
–
–
–
–
–
15
2
1
最大
–
0.4
V
CC
+ 0.5
–
0.6
+1
+1
20
2.5
7
µA
µA
µA
mA
单位
V
V
V
V
输出高电压I
OH
= -1毫安
输出低电压I
OL
= 2.1毫安
输入高电压
输入低电压
V
CC
= 4.5 V至5.5 V
V
CC
= 4.5 V至5.5 V为TSOPII
包
对于SOIC
包
I
IX
I
OZ
I
CC
I
SB2 [9]
输入漏电流接地< V
I
＆ LT ; V
CC
输出漏
当前
GND < V
O
＆ LT ; V
CC
，输出禁用
V
CC
= V
CC（ MAX）的
I
OUT
= 0毫安
CMOS电平
V
CC
经营供应F = F
最大
= 1/t
RC
当前
F = 1 MHz的
自动CE
掉电电流
- CMOS输入
CE > V
CC
– 0.2 V
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2 V或V
IN
< 0.2 V ，
F = 0，V
CC
= V
CC（ MAX）的
笔记
3. V
IL （ MIN ）
= -2.0 V的脉冲持续时间小于20纳秒，因为我< 30毫安。
4. V
IH（ MAX）的
= V
CC
+ 0.75 V的脉冲持续时间小于20纳秒。
5.全设备交流操作假定至少100 μs的斜率时间为0至V
CC
（分钟）和200 μs的等待时间V后
CC
稳定。
6. SOIC封装仅在55纳秒的速度斌。
7.典型值，以供参考，并不能保证或测试。典型值是在V测量
CC
= V
CC （典型值）
, T
A
= 25 °C.
8.在直流条件下的设备满足V
IL
0.8 。然而，在动态条件输入低电压施加到器件不能大于0.6V。更高
这是只适用于SOIC封装。请参阅
了解详细信息。
9.芯片使能（ CE）必须为高电平，在CMOS电平，以满足我
SB2
/ I
CCDR
规格。其他输入可以悬空。
文件编号： 38-05442牧师* H
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CYPRESS [ CYPRESS SEMICONDUCTOR ]
