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CY62157EV30LL-45ZSXI 参数 Datasheet PDF下载

CY62157EV30LL-45ZSXI图片预览
型号: CY62157EV30LL-45ZSXI
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内容描述: 取消当8兆位( 512K的×16 )静态RAM自动断电 [8-Mbit (512 K x 16) Static RAM Automatic power down when deselected]
分类和应用: 存储内存集成电路静态存储器光电二极管
文件页数/大小: 21 页 / 459 K
品牌: CYPRESS [ CYPRESS SEMICONDUCTOR ]
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CY62157EV30的MoBL
®
电容
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
测试条件
T
A
= 25 ° C,F = 1兆赫,V
CC
= V
CC (典型值)
最大
10
10
单位
pF
pF
热阻
参数
JA
JC
描述
热阻
(结到环境)
热阻
(结点到外壳)
测试条件
静止的空气中,焊接在一个3 × 4.5
寸,双层印刷电路
48球BGA
72
8.86
44引脚TSOP I 44针TSOP II组
74.88
8.6
76.88
13.52
° C / W
° C / W
图4.交流测试负载和波形
V
CC
产量
R1
V
CC
10%
GND
R2上升时间= 1 V / ns的
相当于:
所有的输入脉冲
90%
90%
10%
下降时间= 1 V / ns的
30 pF的
INCLUDING
夹具
范围
戴维南等效
R
TH
产量
V
TH
3.0 V
1103
1554
645
1.75
单位
V
参数
R1
R2
R
TH
V
TH
2.5 V
16667
15385
8000
1.20
10.测试开始后任何设计或工艺变化,可能会影响这些参数。
文件编号: 38-05445牧师* I
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