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CY7C0251-25AC 参数 Datasheet PDF下载

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型号: CY7C0251-25AC
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内容描述: 4K X 16/18和8K X 16/18双端口静态RAM与SEM , INT , BUSY [4K x 16/18 and 8K x 16/18 Dual-Port Static RAM with SEM, INT, BUSY]
分类和应用:
文件页数/大小: 21 页 / 503 K
品牌: CYPRESS [ CYPRESS SEMICONDUCTOR ]
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CY7C024/0241
CY7C025/0251
电气特性
在工作范围(续)
7C024/0241–35
7C025/0251–35
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
CC
I
SB1
I
SB2
I
SB3
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
输入漏电流
工作电流
待机电流
(两个端口TTL电平)
待机电流
(一个端口TTL电平)
待机电流
(这两个端口CMOS
级别)
待机电流
(这两个端口CMOS
级别)
GND
V
I
V
CC
V
CC
=最大,我
OUT
= 0 mA时,
输出禁用
CE
L
和CE
R
V
IH
,
f = f
MAX[8]
CE
L
或CE
R
V
IH
,
f = f
MAX[8]
两个端口CE和CE
R
V
CC
– 0.2V, V
IN
V
CC
– 0.2V
或V
IN
0.2V , F = 0
一个端口CE
L
or
CE
R
V
CC
– 0.2V,
V
IN
V
CC
- 0.2V或V
IN
0.2V,
有源端口输出,女= F
MAX[8]
Com'l
IND
Com'l
IND
Com'l
IND
Com'l
IND
Com'l
IND
输出漏电流输出禁用, GND
V
O
V
CC
测试条件
V
CC
=最小值,我
OH
= -4.0毫安
V
CC
=最小值,我
OL
= 4.0毫安
2.2
–0.7
–10
–10
160
160
30
30
85
85
3
3
80
80
0.8
+10
+10
230
260
50
65
135
150
15
15
120
135
MIN 。 TYP 。
2.4
0.4
2.2
–0.7
–10
–10
150
150
20
20
75
75
3
3
70
70
0.8
+10
+10
230
260
50
65
135
150
15
15
120
135
mA
mA
mA
mA
7C024/0241–55
7C025/0251–55
2.4
0.4
V
V
V
V
µA
µA
mA
马克斯。分钟。典型值。马克斯。单位
I
SB4
电容
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
测试条件
T
A
= 25
×
C,F = 1MHz时,
V
CC
= 5.0V
马克斯。
10
10
单位
pF
pF
交流测试负载和波形
5V
5V
R1 = 893Ω
产量
C = 30 pF的
R2 = 347Ω
V
TH
= 1.4V
7C024–8
7C024–9
产量
C = 30pF的
R
TH
= 250Ω
R1 = 893Ω
产量
C = 5 pF的
R2 = 347Ω
7C024–10
(一)正常负载(负载1 )
(二)戴维宁等效(负载1 )
所有的输入脉冲
(三)三态延迟(负载3 )
产量
C = 30 pF的
3.0V
GND
10%
3纳秒
90%
90%
10%
3纳秒
7C024–12
负载(负载2 )
注意:
9.初步测试后任何设计或工艺变化,可能会影响这些参数。
7C024–11
文件编号: 38-06035牧师* B
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