CY7C024/0241
CY7C025/0251
开关特性
在整个工作范围
7C024/0241–15
7C025/0251–15
参数
读周期
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE[11]
t
美国能源部
t
HZOE [ 12 ， 13 ，
14]
7C024/0241–25
7C025/0251–25
分钟。
25
马克斯。
7C024/0241–35
7C025/0251–35
分钟。
35
马克斯。
7C024/0241–55
7C025/0251–55
分钟。
55
马克斯。
单位
ns
55
3
ns
ns
55
25
3
25
3
ns
ns
ns
ns
ns
25
0
ns
ns
55
55
55
35
35
0
0
35
20
0
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
25
0
70
45
ns
ns
ns
ns
描述
读周期时间
地址到数据有效
从输出保持
地址变更
CE低到数据有效
OE低到DATA有效
分钟。
15
马克斯。
15
3
15
10
3
10
3
10
0
15
15
15
12
12
0
0
12
10
0
10
0
30
25
0
25
20
20
0
0
20
15
0
0
3
3
3
25
3
25
13
3
15
3
15
0
25
25
35
30
30
0
0
25
15
0
15
0
50
35
35
35
20
20
t
LZOE [ 12 ， 13 ， 14 ]
OE低到低Z
OE高到高Z
t
LZCE [ 12 ， 13 ， 14 ]
CE低到低Z
t
HZCE [ 12 ， 13 ，
CE高到高阻
CE为低电时
CE高到掉电
字节使能存取时间
写周期时间
CE低到写结束
地址建立撰写
结束
从地址保持
写入结束
地址建立到
开始写
把脉冲宽度
数据建立到写结束
从写端数据保持
R / W低到高Z
R / W高到低Z
写脉冲数据延迟
写数据有效阅读
数据有效
20
t
PU[14]
t
PD[14]
t
ABE[11]
t
WC
t
SCE[11]
t
AW
t
HA
t
SA[11]
t
PWE
t
SD
t
HD
t
HZWE [13 ， 14 ]
t
LZWE [13 ， 14 ]
t
WDD[15]
t
DDD[15]
25
35
写周期
20
60
35
注意事项：
10.测试条件假设为3毫微秒或更少的信号的过渡时间，定时1.5V的参考电平，为0的输入脉冲电平到3.0V ，并在指定的输出负载
I
OI
/I
OH
和30 pF负载电容。
11.要存取RAM ， CE = L ， UB = L ， SEM = H 。要访问信号量， CE = H和扫描电镜= L 。任何一个条件必须是适用于整个吨
SCE
时间。
12.在任何给定的温度和电压条件下对于任何给定的设备，叔
HZCE
小于吨
LZCE
和T
HZOE
小于吨
LZOE
.
13.使用测试条件负载3 。
14.此参数是保证，但未经测试。
15.有关端口到端口延迟通过RAM单元的信息写入端口读取端口，请参考阅读时间与繁忙的波形。
文件编号： 38-06035牧师* B
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CYPRESS [ CYPRESS SEMICONDUCTOR ]
