CY7C1345B
周期说明表
[1, 2, 3]
周期说明
取消循环，掉电
取消循环，掉电
取消循环，掉电
取消循环，掉电
取消循环，掉电
贪睡模式，掉电
读周期，开始突发
读周期，开始突发
写周期，开始突发
读周期，开始突发
读周期，开始突发
读周期，继续突发
读周期，继续突发
读周期，继续突发
读周期，继续突发
写周期，继续突发
写周期，继续突发
读周期，暂停突发
读周期，暂停突发
读周期，暂停突发
读周期，暂停突发
写周期，暂停突发
写周期，暂停突发
添加
二手
无
无
无
无
无
无
外
外
外
外
外
NEXT
NEXT
NEXT
NEXT
NEXT
NEXT
当前
当前
当前
当前
当前
当前
CE
1
H
L
L
L
X
X
L
L
L
L
L
X
X
H
H
X
H
X
X
H
H
X
H
CE
3
X
X
H
X
X
X
L
L
L
L
L
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
CE
2
X
L
X
L
X
X
H
H
H
H
H
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
ZZ
L
L
L
L
L
H
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
ADSP
X
L
L
H
H
X
L
L
H
H
H
H
H
X
X
H
X
H
H
X
X
H
X
ADSC
L
X
X
L
L
X
X
X
L
L
L
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
ADV
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
L
L
L
L
L
L
H
H
H
H
H
H
WE
X
X
X
X
X
X
X
X
L
H
H
H
H
H
H
L
L
H
H
H
H
L
L
OE
X
X
X
X
X
X
L
H
X
L
H
L
H
L
H
X
X
L
H
L
H
X
X
CLK
L-H
L-H
L-H
L-H
L-H
X
L-H
L-H
L-H
L-H
L-H
L-H
L-H
L-H
L-H
L-H
L-H
L-H
L-H
L-H
L-H
L-H
L-H
DQ
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
Q
高-Z
D
Q
高-Z
Q
高-Z
Q
高-Z
D
D
Q
高-Z
Q
高-Z
D
D
注意事项：
1， X = “无关， ” 1 =逻辑高电平， 0 =逻辑低电平。
2. SRAM始终启动一个读周期时的ADSP认定时，无论毛重， BWE ，或BWS的状态
[3:0].
写只能在下一时钟发生
在ADSP后或ADSC的说法。其结果是，原始设备必须被驱动为高电平的写周期开始之前，以使输出到三态。 OE
是一个“不关心”的写周期的剩余部分。
3. OE是异步的，并且不采样与时钟的上升。在读周期的DQ =高阻当OE是无效的，和DQ =数据当OE激活。
6
CYPRESS [ CYPRESS SEMICONDUCTOR ]
