CY7C1345B
写周期说明
[1, 2, 3, 4]
功能
读
读
写字节0 ， DP
0
写字节1 ， DP
1
写字节1 ， 0 ， DP
0
， DP
1
写字节2 ， DP
2
写字节2 ， 0 ， DP
2
， DP
0
写字节2 ， 1 ， DP
2
， DP
1
写字节2 ， 1 ， 0 ， DP
2
， DP
1
， DP
0
写字节3 ， DP
3
写字节3 ， 0 ， DP
3
， DP
0
写字节3 ， 1 ， DP
3
， DP
0
写字节3 ， 1 ， 0 ， DP
3
， DP
1
， DP
0
写字节3 ， 2 ， DP
3
， DP
2
写字节3 ， 2 ， 0 ， DP
3
， DP
2
， DP
0
写字节3 ， 2 ， 1 ， DP
3
， DP
2
， DP
1
写的所有字节
写的所有字节
GW
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
0
BWE
1
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
X
BW
3
X
1
1
1
1
1
1
1
1
0
0
0
0
0
0
0
0
X
BW
2
X
1
1
1
1
0
0
0
0
1
1
1
1
0
0
0
0
X
BW
1
X
1
1
0
0
1
1
0
0
1
1
0
0
1
1
0
0
X
BW
0
X
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
X
ZZ模式电气特性
参数
I
CCZZ
t
ZZS
t
ZZREC
描述
贪睡模式
待机电流
设备操作
ZZ
ZZ恢复时间
测试条件
ZZ > V
DD
−
0.2V
ZZ > V
DD
−
0.2V
ZZ < 0.2V
2t
CYC
分钟。
马克斯。
10
2t
CYC
mA
ns
ns
单位
最大额定值
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -
线，没有测试。 ）
存储温度................................. -65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源应用............................................. -55 ° C至+ 125°C
在V电源电压
DD
相对于GND ........ -0.5V至+ 4.6V
直流电压应用到输出的
在高Z状态
[5]
....................................- 0.5V至V
DD
+ 0.5V
直流输入电压
[5]
.................................- 0.5V至V
DD
+ 0.5V
目前进入输出（ LOW ） ......................................... 20毫安
静电放电电压.......................................... >2001V
（每MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流.............................................. ...... >200毫安
工作范围
环境
温度范围
[6]
Com'l
Ind'l
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
V
DD
3.135V至3.6V
V
DDQ
2.375V至V
DD
注意事项：
4.当检测到一个写周期中，所有的I / O的三态，即使在字节写入。
5.最低电压等于-2.0V少于20ns的脉冲持续时间。
6. T
A
是的情况下的温度。
7
CYPRESS [ CYPRESS SEMICONDUCTOR ]
