CY7C185
最大额定值
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -
线，没有测试。 ）
存储温度................................. -65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源应用............................................. -55 ° C至+ 125°C
电源电压对地电位............... -0.5V至+ 7.0V
直流电压应用到输出的
在高Z状态
[2]
............................................ -0.5V至7.0 V
直流输入电压
[2]
......................................... -0.5V至+ 7.0V
输出电流为输出（ LOW ） ............................. 20毫安
静电放电电压........................................... >2001V
（每MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流.............................................. ...... >200毫安
工作范围
范围
广告
产业
环境
温度
0
°
C至+70
°
C
–40
°
C至+ 85
°
C
V
CC
5V
±
10%
5V
±
10%
电气特性
在整个工作范围
–15
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
CC
I
SB1
描述
输出高
电压
输出低
电压
输入高
电压
输入低
电压
[2]
输入漏
当前
GND
≤
V
I
≤
V
CC
测试条件
V
CC
=最小值，
I
OH
= -4.0毫安
V
CC
=最小值，
I
OL
= 8.0毫安
2.2
–0.5
–5
–5
分钟。
2.4
0.4
V
CC
+ 0.3V
0.8
+5
+5
130
40
2.2
–0.5
–5
–5
马克斯。
分钟。
2.4
0.4
V
CC
+ 0.3V
0.8
+5
+5
110
20
2.2
–0.5
–5
–5
–20
马克斯。
2.4
0.4
V
CC
+ 0.3V
0.8
+5
+5
100
20
–25, -35
分钟。
马克斯。
单位
V
V
V
V
µA
µA
mA
mA
输出泄漏GND
≤
V
I
≤
V
CC
,
当前
输出禁用
V
CC
工作V
CC
=最大，
供应电流I
OUT
= 0毫安
自动
掉电
当前
自动
掉电
当前
最大。 V
CC
,
CE
1
≥
V
IH
或CE
2
≤
V
IL
分钟。占空比= 100 ％
最大。 V
CC
,
CE
1
≥
V
CC
– 0.3V,
或CE
2
≤
0.3V
V
IN
≥
V
CC
- 0.3V或
V
IN
≤
0.3V
I
SB2
15
15
15
mA
电容
[3]
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1MHz时，
V
CC
= 5.0V
马克斯。
7
7
单位
pF
pF
注意事项：
2.最小电压等于-3.0V为脉冲持续时间小于30纳秒。
3.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
文件编号： 38-05043牧师* B
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CYPRESS [ CYPRESS SEMICONDUCTOR ]
