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CY7C185-25PC 参数 Datasheet PDF下载

CY7C185-25PC图片预览
型号: CY7C185-25PC
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内容描述: 8K ×8静态RAM [8K x 8 Static RAM]
分类和应用: 存储内存集成电路静态存储器光电二极管
文件页数/大小: 12 页 / 306 K
品牌: CYPRESS [ CYPRESS SEMICONDUCTOR ]
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CY7C185
交流测试负载和波形
5V
产量
30 pF的
INCLUDING
夹具
范围
R1 481
5V
产量
5 pF的
INCLUDING
JIGAND
范围
R1 481
3.0V
R2
255Ω
GND
10%
所有的输入脉冲
90%
90%
10%
5纳秒
R2
255Ω
5纳秒
相当于:
产量
(a)
(b)
戴维南等效
167Ω
1.73V
开关特性
在整个工作范围
[4]
-15
参数
读周期
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE1
t
ACE2
t
美国能源部
t
LZOE
t
HZOE
t
LZCE1
t
LZCE2
t
HZCE
t
PU
t
PD
写周期
[7]
t
WC
t
SCE1
t
SCE2
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
t
SD
t
HD
t
HZWE
t
LZWE
写周期时间
CE
1
低到写结束
CE
2
HIGH到写入结束
地址建立撰写完
从写端地址保持
地址建立到开始写
WE脉冲宽度
数据建立到写结束
从写端数据保持
WE低到高Z
[5]
WE高到低Z
3
15
12
12
12
0
0
12
8
0
7
5
20
15
15
15
0
0
15
10
0
7
5
25
20
20
20
0
0
15
10
0
7
5
35
20
20
25
0
0
20
12
0
8
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
读周期时间
地址到数据有效
从地址变化数据保持
CE
1
低到数据有效
CE
2
高到数据有效
OE低到DATA有效
OE低到低Z
OE高到高Z
[5]
CE
1
低到低Z
[6]
CE
2
高到低Z
CE
1
高到高阻
[5, 6]
CE
2
低到高Z
CE
1
低到电
CE
2
变为高电平,上电
CE
1
高到掉电
CE
2
低到掉电
0
15
3
3
7
0
20
3
7
5
3
8
0
20
3
15
15
8
3
8
5
3
10
0
20
15
15
5
20
20
9
3
10
5
3
10
20
20
5
25
25
12
3
10
25
25
5
35
35
15
35
35
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
描述
分钟。
马克斯。
分钟。
-20
马克斯。
分钟。
-25
马克斯。
分钟。
-35
马克斯。
单位
注意事项:
4.测试条件假设为5纳秒或更小的信号的过渡时间,定时1.5V的参考电平,为0的输入脉冲电平到3.0V ,并在指定的输出负载
I
OL
/I
OH
和30 pF负载电容。
5. t
HZOE ,
t
HZCE
和叔
HZWE
用C指定
L
= 5 pF的作为交流测试负载(b)部分。过渡测
±500
毫伏从稳态电压。
6.在任何给定的温度和电压条件下,叔
HZCE
小于吨
LZCE1
和T
LZCE2
对于任何给定的设备。
7.存储器的内部写入时间由CE的重叠限定
1
低,CE
2
高,和WE为低电平。所有的3个信号必须是活动开始写,要么
信号可以通过去HIGH结束写入。的数据输入的设置和保持时间应参考该终止写信号的上升沿。
文件编号: 38-05043牧师* B
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