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DIM200WBS12-A000 参数 Datasheet PDF下载

DIM200WBS12-A000图片预览
型号: DIM200WBS12-A000
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内容描述: 单开关IGBT模块 [Single Switch IGBT Module]
分类和应用: 晶体开关晶体管功率控制双极性晶体管局域网
文件页数/大小: 10 页 / 218 K
品牌: DYNEX [ Dynex Semiconductor ]
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DIM200WBS12-A000
半导体
绝对最大额定值 - 每个ARM
条件超过上述“绝对最大额定值” ,即可能对器件造成永久性损坏。
在极端条件下,与所有的半导体,这可以包括的有潜在危险的破裂
封装。适当的安全预防措施,应始终遵循。暴露在绝对最大额定值
可能会影响器件的可靠性。
温度上限= 25° ,除非另有说明
C
符号
V
CES
V
GES
I
C
I
C( PK )
P
最大
It
V
ISOL
2
参数
集电极 - 发射极电压
栅极 - 发射极电压
连续集电极电流
峰值集电极电流
马克斯。晶体管的功耗
二极管余吨价值( IGBT ARM)
隔离电压 - 每个模块
2
测试条件
V
GE
= 0V
马克斯。
1200
±20
单位
V
V
A
A
kW
千安s
V
2
T
= 80°
C
1毫秒,T
=115°
C
T
= 25° T
j
= 150°
C,
C
V
R
= 0, t
P
= 10毫秒,T
vj
= 125°
C
Commoned端子到基板上。 AC RMS , 1分钟,50赫兹
200
400
1.435
6.25
2500
注意:此设备是静电放电敏感。用户应遵循ESD处理程序
2
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