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DIM200WBS12-A000 参数 Datasheet PDF下载

DIM200WBS12-A000图片预览
型号: DIM200WBS12-A000
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内容描述: 单开关IGBT模块 [Single Switch IGBT Module]
分类和应用: 晶体开关晶体管功率控制双极性晶体管局域网
文件页数/大小: 10 页 / 218 K
品牌: DYNEX [ Dynex Semiconductor ]
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DIM200WBS12-A000
半导体
电气特性
T
= 25℃ ,除非另有说明。
符号
t
D(关闭)
t
f
E
关闭
t
D(上)
t
r
E
O
Q
g
Q
rr
I
rr
E
REC
参数
打开-O FF延迟时间
下降时间
关断能量损失
导通延迟时间
上升时间
开启能量损失
栅极电荷
二极管的反向恢复电荷
二极管的反向电流
二极管的反向恢复精力
I
F
= 200A ,V
R
= 600V,
dl
F
/ DT = 2100A / μs的
测试条件
I
C
= 200A
V
GE
= ±15V
V
CE
= 600V
R
G( ON)的
= R
G( OFF)
= 4.7
L
100nH
分钟。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
600
50
20
240
95
25
2
30
125
13
马克斯。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
单位
ns
ns
mJ
ns
ns
mJ
µC
µC
A
mJ
T
= 125℃ ,除非另有说明。
C
符号
t
D(关闭)
t
f
E
关闭
t
D(上)
t
r
E
ON
Q
rr
I
rr
E
REC
参数
打开-O FF延迟时间
下降时间
关断能量损失
导通延迟时间
上升时间
开启能量损失
二极管的反向恢复电荷
二极管的反向电流
二极管的反向恢复精力
I
F
= 200A ,V
R
= 600V,
dl
F
/ DT = 1900A / μs的
测试条件
I
C
= 200A
V
GE
= ±15V
V
CE
= 600V
R
G( ON)的
= R
G( OFF)
= 4.7
L
100nH
分钟。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
800
70
27
385
110
40
50
140
20
马克斯。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
单位
ns
ns
mJ
ns
ns
mJ
µC
A
mJ
注意:此设备是静电放电敏感。用户应遵循ESD处理程序
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/
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