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    DIM200WBS12-A000 参数 Datasheet PDF下载

    DIM200WBS12-A000图片预览
    型号： DIM200WBS12-A000
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 单开关IGBT模块 [Single Switch IGBT Module]
    分类和应用： 晶体开关晶体管功率控制双极性晶体管局域网
    文件页数/大小： 10 页 / 218 K
    品牌： DYNEX [ Dynex Semiconductor ]
     浏览型号DIM200WBS12-A000的Datasheet PDF文件第1页浏览型号DIM200WBS12-A000的Datasheet PDF文件第2页浏览型号DIM200WBS12-A000的Datasheet PDF文件第3页浏览型号DIM200WBS12-A000的Datasheet PDF文件第5页浏览型号DIM200WBS12-A000的Datasheet PDF文件第6页浏览型号DIM200WBS12-A000的Datasheet PDF文件第7页浏览型号DIM200WBS12-A000的Datasheet PDF文件第8页浏览型号DIM200WBS12-A000的Datasheet PDF文件第9页  
    DIM200WBS12-A000
    半导体
    电气特性
    T
    例
    = 25℃ ，除非另有说明。
    符号
    参数
    测试条件
    V
    GE
    = 0V, V
    CE
    = V
    CES
    分钟。
    -
    -
    -
    4.5
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    I
    1
    I
    2
    -
    -
    典型值。
    -
    -
    -
    5.5
    2.2
    2.6
    4.3
    4.7
    -
    -
    2.1
    2.1
    23
    30
    0.27
    1375
    1125
    马克斯。
    0.25
    6
    1
    6.5
    2.6
    3.0
    5.0
    5.4
    200
    400
    2.4
    2.4
    -
    -
    -
    -
    -
    单位
    mA
    mA
    µA
    V
    V
    V
    V
    V
    A
    A
    V
    V
    nF
    nH
    mΩ
    A
    A
    I
    CES
    集电极截止电流
    V
    GE
    = 0V, V
    CE
    = V
    CES
    , T
    例
    = 125°
    C
    I
    CES
    V
    GE （日）
    栅极漏电流
    栅极阈值电压
    V
    GE
    = ±20V, V
    CE
    = 0V
    I
    C
    = 10毫安，V
    GE
    = V
    CE
    V
    GE
    = 15V ，我
    C
    = 200A
    V
    CE （ SAT ）
    ♦
    集电极 - 发射极饱和电压
    V
    GE
    = 15V ，我
    C
    = 200A ，T
    例
    = 125°
    C
    V
    GE
    = 15V ，我
    C
    = 200A
    V
    GE
    = 15V ，我
    C
    = 200A ，T
    例
    = 125°
    C
    DC
    t
    p
    为1ms
    I
    F
    = 200A
    V
    T
    ♦
    I
    F
    I
    FM
    通态电压
    （在端子1 &3测量）
    二极管的正向电流
    二极管的最大正向电流
    V
    F
    ♦
    二极管的正向电压
    I
    F
    = 200A ，T
    例
    = 125°
    C
    C
    IES
    L
    M
    R
    INT
    输入电容
    每组模块的电感
    每组内阻
    V
    CE
    = 25V, V
    GE
    = 0V ， F = 1MHz的
    -
    -
    T
    j
    = 125° V
    cc
    = 900V,
    C,
    SC
    数据
    短路。我
    sc
    t
    p
    ≤
    10µs,
    V
    CE （最大）
    = V
    CES
    - L * .di / DT
    IEC 60747-9
    注意：
    ♦
    测量在电源母线，而不是辅助端子
    * L是线路电感+ L
    M
    注意：此设备是静电放电敏感。用户应遵循ESD处理程序
    4
    /
    10
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