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EDE5132AABG-6E-F 参数 Datasheet PDF下载

EDE5132AABG-6E-F图片预览
型号: EDE5132AABG-6E-F
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内容描述: 512M位DDR2 SDRAM [512M bits DDR2 SDRAM]
分类和应用: 存储内存集成电路动态存储器双倍数据速率
文件页数/大小: 74 页 / 700 K
品牌: ELPIDA [ ELPIDA MEMORY ]
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EDE5132AABG
AC Overshoot/Undershoot Specification
Parameter
Maximum peak amplitude allowed for overshoot
Maximum peak amplitude allowed for undershoot
Maximum overshoot area above VDD
DDR2-800
DDR2-667
Maximum undershoot area below VSS
DDR2-800
DDR2-667
Maximum peak amplitude allowed for overshoot
Maximum peak amplitude allowed for undershoot
Maximum overshoot area above VDD
Maximum undershoot area below VSS
Maximum peak amplitude allowed for overshoot
Maximum peak amplitude allowed for undershoot
Maximum overshoot area above VDDQ
Maximum undershoot area below VSSQ
DQ, DQS, /DQS,
DM
CK, /CK
Pins
Command, Address,
CKE, ODT
Specification
0.5
0.5
0.66
0.8
0.66
0.8
0.5
0.5
0.23
0.23
0.5
0.5
0.23
0.23
Unit
V
V
V-ns
V-ns
V-ns
V-ns
V
V
V-ns
V-ns
V
V
V-ns
V-ns
Maximum amplitude
Overshoot area
Volts (V)
VDD, VDDQ
VSS, VSSQ
Undershoot area
Time (ns)
Overshoot/Undershoot Definition
Preliminary Data Sheet E1115E40 (Ver. 4.0)
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