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HM5113165FTD-6 参数 Datasheet PDF下载

HM5113165FTD-6图片预览
型号: HM5113165FTD-6
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内容描述: 128M EDO DRAM ( 8 Mword × 16位) 4K的刷新 [128M EDO DRAM (8-Mword × 16-bit) 4k refresh]
分类和应用: 存储内存集成电路光电二极管动态存储器
文件页数/大小: 27 页 / 248 K
品牌: ELPIDA [ ELPIDA MEMORY ]
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HM5113165FTD-6
Absolute Maximum Ratings
Parameter
Terminal voltage on any pin relative to V
SS
Power supply voltage relative to V
SS
Short circuit output current
Power dissipation
Symbol
V
T
V
CC
Iout
P
T
Tstg
Value
–0.5 to V
CC
+ 0.5 (≤ 4.6 V (max))
–0.5 to +4.6
50
1.0
–55 to +125
Unit
V
V
mA
W
°C
EO
Storage temperature
Parameter
Supply voltage
Input high voltage
Input low voltage
DC Operating Conditions
Ambient temperature range
Notes: 1. All voltage referred to V
SS
.
2. The supply voltage with all V
CC
pins must be on the same level. The supply voltage with all V
SS
pins
must be on the same level.
L
Symbol
V
CC
V
SS
V
IH
V
IL
Min
3.0
0
2.0
–0.3
0
Typ
3.3
0
Max
3.6
0
V
CC
+ 0.3
0.8
70
Unit
V
V
V
V
˚C
Notes
1, 2
2
1
1
od
Pr
Ta
Data Sheet E0177H10
t
uc
5