EDD51163DBH-LS
引脚功能
CK ， / CK （输入引脚）
在CK和/ CK是主时钟输入。除了DMS， DQSS和DQS所有输入被称为交叉
点在CK的上升沿和/ CK的下降沿。当进行读操作， DQSS和的DQ都提到了
交叉点的CK和/ CK的。当一个写操作中，模式草案和的DQ被称为DQS的的交叉点
和VDDQ / 2的水平。 DQSS对于写操作被称为的CK和/ CK的交叉点。另
输入信号被称为在CK的上升沿。
/ CS （输入引脚）
当/ CS为低时，命令和数据可被输入。当/ CS为高电平时，所有的输入将被忽略。然而，内部
操作（存储体激活，突发操作等）被保持。
/ RAS ， / CAS ，和/ WE （输入引脚）
这些引脚定义操作的命令（读，写等），这取决于它们的电压电平的组合。
见"Command operation" 。
A0至A12 （输入引脚）
行地址（ AX0到AX12 ）由A0在CK的上升沿和所述的交叉点确定为位于A12级
/ CK下降沿在银行主动指令周期。列地址设置在CK的上升沿的交叉点装
和/ CK在读或写命令周期的下降沿（参见“地址引脚表”）。这列地址
成为一个脉冲串操作的起始地址。
[联系地址引脚表]
地址（ A0至A12 ）
产品型号
EDD51163DBH
PAGE SIZE
2KB
组织
×
16位
行地址
AX0到AX12
列地址
AY0到AY9
A10 （ AP） （输入引脚）
A10定义了一个预充电命令，读命令或写命令被发出时，在预充电模式。如果
A10 =高发出预充电命令时，所有银行都预充电。如果A10 =低时，预充电
命令发出后，只有被选中BA1 / BA0 ，该行预充电。如果A10 =高时，读或写
命令，自动预充电功能。
BA0和BA1 （输入引脚）
BA0和BA1是银行选择信号（ BA ） 。所述存储器阵列被划分为存储体0 ，存储体1 ，组2和组3 。
（见银行选择信号表）
[银行选择信号表]
BA0
BANK 0
银行1
2银行
3银行
L
H
L
H
BA1
L
L
H
H
注： H： VIH 。 L： VIL 。
初步数据表E1433E30 （版本3.0 ）
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ELPIDA [ ELPIDA MEMORY ]
