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EDD51163DBH-5BLS-F 参数 Datasheet PDF下载

EDD51163DBH-5BLS-F图片预览
型号: EDD51163DBH-5BLS-F
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内容描述: 512M DDR位移动RAM ™ WTR (宽温度范围) ,低功耗功能 [512M bits DDR Mobile RAM™ WTR (Wide Temperature Range), Low Power Function]
分类和应用: 存储内存集成电路动态存储器双倍数据速率
文件页数/大小: 60 页 / 759 K
品牌: ELPIDA [ ELPIDA MEMORY ]
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EDD51163DBH-LS
-5BLS
参数
Autoprecharge写恢复和
预充电时间
自刷新退出期
内部写读命令延迟
平均周期刷新间隔
符号
tDAL
tSREX
Twtr
TREF
分钟。
120
2
马克斯。
7.8
-6ELS
分钟。
120
1
马克斯。
7.8
ns
TCK
µs
单位
笔记
9
注:1。在所有交流测量,我们假设在“测试条件”和完整的驱动程序所示的试验条件
强度假定为输出负载,也就是既A6和EMRS的A5被设定为“L”。
2.这个参数定义从CK和/ CK的交叉点上的信号转换延迟。信号
过渡被定义为出现在信号电平交叉的VDDQ / 2 。
3.定时基准电平为VDDQ / 2 。
4.输出有效窗口被定义为间数据输出信号的两个连续的过渡时期。
通过信号传输被定义为出现在信号电平交叉的VDDQ / 2 。
5.太赫兹被定义为从低 - Z DOUT迁移延迟到高阻在读突发操作结束。该
定时参考CK和/ CK的交叉点。此参数没有提到具体的DOUT电压
水平,但指定当设备停止输出驱动。
6. TLZ被定义为从高Z DOUT过渡延迟至低价-Z的在读操作的开始。这
参数未提及具体的DOUT的电压电平,但指定设备输出开始时
驾驶。
7.从低Z到高Z的过渡被定义时,该设备的输出停止驱动发生。具体
没有给定的参考电压来判断这一过渡。
8. TAC , tDQSCK ,太赫兹和TLZ与15pF的总线负载conditio规定
n.
tDAL ( = tWR的+激进党) 9.最小3个时钟是必需的,因为它需要最少2个时钟为tWR的和
最少1个时钟色氨酸。
tDAL = ( tWR的/ TCK )+( tRP的/ TCK) :对于上述各方面的,如果不是已经整数,舍入到下一个
更大的整数。
初步数据表E1433E30 (版本3.0 )
9