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    EDD51163DBH-5BLS-F 参数 Datasheet PDF下载

    EDD51163DBH-5BLS-F图片预览
    型号： EDD51163DBH-5BLS-F
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 512M DDR位移动RAM ™ WTR （宽温度范围） ，低功耗功能 [512M bits DDR Mobile RAM™ WTR (Wide Temperature Range), Low Power Function]
    分类和应用： 存储内存集成电路动态存储器双倍数据速率
    文件页数/大小： 60 页 / 759 K
    品牌： ELPIDA [ ELPIDA MEMORY ]
     浏览型号EDD51163DBH-5BLS-F的Datasheet PDF文件第6页浏览型号EDD51163DBH-5BLS-F的Datasheet PDF文件第7页浏览型号EDD51163DBH-5BLS-F的Datasheet PDF文件第8页浏览型号EDD51163DBH-5BLS-F的Datasheet PDF文件第9页浏览型号EDD51163DBH-5BLS-F的Datasheet PDF文件第11页浏览型号EDD51163DBH-5BLS-F的Datasheet PDF文件第12页浏览型号EDD51163DBH-5BLS-F的Datasheet PDF文件第13页浏览型号EDD51163DBH-5BLS-F的Datasheet PDF文件第14页  
    EDD51163DBH-LS
    测试条件
    参数
    输入高电压
    输入低电压
    输入差分电压， CK和/ CK投入
    输入差分交叉点电压，
    CK和/ CK投入
    输入信号转换速率
    输出负载
    符号
    VIH （AC）的
    VIL （AC）的
    VID （AC）的
    VIX （AC）的
    SLEW
    CL
    价值
    0.8
    ×
    VDDQ
    0.2
    ×
    VDDQ
    1.4
    VDDQ / 2 VDD = VDDQ
    1
    15
    单位
    V
    V
    V
    V
    V / ns的
    pF
    1
    记
    1
    1
    1
    注：1， VDD
    =
    VDDQ
    TCK
    总胆固醇
    TCL
    VID
    / CK
    CK
    VIH
    VIX
    VIL
    TLZ
    TAC
    T
    压摆率=
    (V
    IH
    −
    V
    IL
    )
    T
    DQout
    （ DQOUT ）
    Q1
    Q2
    VDDQ/2
    测试条件（波形和时序参考）
    DQ
    CL
    输出负载
    初步数据表E1433E30 （版本3.0 ）
    10

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