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EDE1116AESE-8E-F 参数 Datasheet PDF下载

EDE1116AESE-8E-F图片预览
型号: EDE1116AESE-8E-F
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内容描述: 1G位DDR2 SDRAM [1G bits DDR2 SDRAM]
分类和应用: 存储内存集成电路动态存储器双倍数据速率时钟
文件页数/大小: 78 页 / 749 K
品牌: ELPIDA [ ELPIDA MEMORY ]
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EDE1108AESE , EDE1116AESE
销刀豆网络gurations
/ xxx表示低电平有效的信号。
60球FBGA
84球FBGA
( × 16组织)
8
9
( × 8的组织)
1
A
2
3
7
1
2
3
7
8
9
A
VDD
NU / / RDQS
VSS
VSSQ
/ DQS
VDDQ
VDD
NC
VSS
VSSQ
/ UDQS
VDDQ
UDQS
VSSQ DQ15
VDDQ
DQ8
VDDQ
B
B
DQ6
VSSQ
DM / RDQS
的DQ
VDDQ
DQ2
VSSDL
/ RAS
/ CAS
A2
A6
A11
NC
( TOP VIEW )
VSSQ
DQ0
VSSQ
CK
/ CK
/ CS
A0
A4
A8
A13
DQ7
DQ14 VSSQ UDM
C
C
VDDQ
DQ1
VDDQ
VSSQ
DQ3
VSS
/ WE
BA1
A1
A5
A9
NC
VDDQ
VDDQ
DQ9
VDDQ
D
D
DQ4
DQ5
DQ12 VSSQ
DQ11
DQ10
VSSQ DQ13
VSSQ
/ LDQS
VDDQ
LDQS
VSSQ
VDDQ
DQ2
VSSDL
E
E
VDDL
VREF
VDD
VDD
NC
VSSQ
VSS
LDM
F
F
CKE
ODT
DQ6
DQ7
G
G
BA2
BA0
A10
VDDQ
VDD
DQ1
VDDQ
VSSQ
DQ3
DQ0
VSSQ
CK
VDDQ
DQ5
VDD
ODT
H
J
H
DQ4
VSS
K
L
A3
A7
J
VDDL
VREF
VSS
VSS
K
CKE
/ WE
BA1
/ RAS
/ CAS
/ CK
/ CS
VDD
A12
L
BA2
BA0
M
A10
A1
A5
A9
A2
A6
A11
A0
A4
A8
VSS
VDD
N
VSS
A3
A7
P
R
VDD
A12
NC
NC
NC
( TOP VIEW )
引脚名称
A0到A13
BA0 , BA1 , BA2
DQ0到DQ15
DQS , / DQS ,
UDQS , / UDQS ,
LDQS , / LDQS
RDQS , / RDQS
/ CS
/ RAS , / CAS , / WE
CKE
CK , / CK
DM , UDM , LDM
功能
地址输入
BANK SELECT
数据输入/输出
差分数据选通信号
差分数据选通信号读
芯片选择
命令输入
时钟使能
差分时钟输入
写数据面膜
引脚名称
ODT
VDD
VSS
VDDQ
VSSQ
VREF
VDDL
VSSDL
NC *
NU *
1
2
功能
ODT控制
电源电压为内部电路
地上的内部电路
电源电压为DQ电路
地面DQ电路
输入参考电压
电源电压为DLL电路
地面的DLL电路
无连接
不可用
注意事项: 1.不与内部芯片连接。
2.不要连接。内部连接。
数据表E1290E30 (版本3.0 )
3