EDJ1104BBSE ， EDJ1108BBSE ， EDJ1116BBSE
电气条件
•
所有电压参考VSS （ GND）
•
正确的设备运行达到之前执行开机和初始化序列。
绝对最大额定值
参数
电源电压
电源电压输出
输入电压
输出电压
参考电压
参考电压DQ
储存温度
功耗
符号
VDD
VDDQ
VIN
VOUT
VREFCA
VREFDQ
TSTG
PD
IOUT
等级
−0.4
到1.975
−0.4
到1.975
−0.4
到1.975
−0.4
到1.975
−0.4
0.6
×
VDD
−0.4
0.6
×
VDDQ
−55
+100
1.0
50
单位
V
V
V
V
V
V
°C
W
mA
笔记
1, 3
1, 3
1
1
3
3
1, 2
1
1
EO
小心
参数
数据表E1375E50 （版本5.0 ）
短路输出电流
注意事项： 1.强调超过绝对最大额定值可能会导致永久性的损坏
该设备。这是一个额定值，设备的功能操作在这些或任何其他
超出本规范的业务部门所标明的条件是不是暗示。曝光
在绝对最大额定值条件下工作会影响其可靠性。
2.储存温度在DRAM中心/顶侧的情况下表面温度。
3. VDD和VDDQ必须在彼此的时候都为300mV ;和VREF必须不大于
0.6
×
VDDQ ，当VDD和VDDQ小于500mV的; VREF可以等于或小于300mV的。
该设备暴露在压力超过上述绝对最大额定值可能会导致
永久性损坏。该装置并不意味着超出限制的条件下操作
在本说明书中的操作部分中描述。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能影响器件的可靠性。
工作温度条件
工作温度
注意事项： 1.工作温度在DRAM中心/顶侧的情况下表面温度。
2.正常温度范围规定的温度下，所有的DRAM规格会
支持。在操作过程中，必须保持在0 ℃至+ 85 ℃下的DRAM的情况下，温度
在所有工作条件。
3.有些应用需要在+ 85°C扩展级温度范围DRAM的操作
和+ 95°C的外壳温度。全规格都保证在该范围内，但以下的附加
报考条件：
a)
刷新命令必须在频率提高一倍，从而降低刷新间隔tREFI到
3.9μs 。 （这种双重刷新规定可能不适用于某些设备。 ）
b)
如果需要在扩展温度范围自刷新操作，则它是强制性的，以
无论是使用手动自刷新模式，扩展级温度范围性能（ MR2位
[ A6，A7 ] = [ 0 ，1] ）或使能了可选自动自刷新模式（ MR2的位[ A6，A7 ] = [ 1,0 ]）。
L
od
Pr
符号
等级
TC
0至+95
单位
°C
笔记
1, 2, 3
uc
t
7
ELPIDA [ ELPIDA MEMORY ]
