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EDJ1116BBSE-AG-F 参数 Datasheet PDF下载

EDJ1116BBSE-AG-F图片预览
型号: EDJ1116BBSE-AG-F
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内容描述: 1G位DDR3 SDRAM [1G bits DDR3 SDRAM]
分类和应用: 存储内存集成电路动态存储器双倍数据速率
文件页数/大小: 151 页 / 1895 K
品牌: ELPIDA [ ELPIDA MEMORY ]
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EDJ1104BBSE , EDJ1108BBSE , EDJ1116BBSE
引脚配置( × 4 ,
×8
配置)
/ xxx表示低电平有效的信号。
78球FBGA ( × 4配置)
1
A
VSS
B
VSS VSSQ
C
VDDQ
D
VSSQ
E
F
NC
/ DQS
NC
VDD
NC
CK
/ CK
A10(AP)
NC
VSS
NC
VSS
VDD
ZQ
VSSQ
E
VDDQ
F
NC
G
CKE
H
NC
J
VREFCA VSS
K
VDD
L
VSS
VDD
VSS
M
N
VSS / RESET A13
( TOP VIEW )
NC
A8
VSS / RESET A13
NC
A8
VSS
VSS
VDD
A5
A7
A2
A9
A1
A11
A4
A6
VSS
VDD
VDD
A3
A0
A12 ( / BC) BA1
VDD
VSS
BA0
BA2
NC
VREFCA VSS
NC
/ CS
/ WE
A10(AP)
ZQ
NC
ODT
VDD
/ CAS
/ CK
VDD
CKE
NC
VSS
/ RAS
CK
VSS
NC
VREFDQ VDDQ
DQ2
的DQ
DQ1
DQ3
VSSQ
D
VSSQ
DQ6
/ DQS
DQ4
VDD
DQ7
VSS
DQ5
VSSQ
VDDQ
DQ0
DM
VDDQ VSSQ
C
VDDQ
DQ2
的DQ
DQ1
DQ3
VSSQ
VDD
NC
NC
VSS
VDD
B
VSS VSSQ
DQ0
DM / TDQS
VDDQ VSSQ
78球FBGA ( × 8配置)
9
A
VSS
VDD
NC
NU / ( / TDQS )
VSS
2
3
7
8
1
2
3
7
8
9
VDD
EO
VREFDQ VDDQ
NC
VSS
/ RAS
/ CAS
/ WE
G
H
J
ODT
NC
VDD
/ CS
VSS
BA0
A3
A5
A7
BA2
A0
A2
A9
K
L
VSS
M
N
VDD
VDD
L
A1
A11
A12 ( / BC) BA1
A4
A6
od
Pr
引脚名称
/ RESET *
VDD
3
( TOP VIEW )
引脚名称
A0到A13 *
3
功能
功能
低电平有效的异步复位
电源电压为内部
电路
地址输入
A10 ( AP) :自动预充电
A12 ( / BC ) :突发印章
3
BA0至Ba2 *
DQ0到DQ7
DQS , / DQS
BANK SELECT
数据输入/输出
VSS
地上的内部电路
电源电压为DQ电路
地面DQ电路
差分数据选通信号
VDDQ
VSSQ
TDQS , / TDQS
/ CS *
3
3
终止数据选通
芯片选择
VREFDQ
VREFCA
参考电压DQ
参考电压
参考引脚ZQ
校准
无连接
不可用
/ RAS , / CAS , /我们*
CKE *
3
命令输入
时钟使能
uc
ZQ
NC *
NU *
1
2
CK , / CK
DM
ODT *
3
差分时钟输入
写数据面膜
ODT控制
注意事项: 1.不与内部芯片连接。
2.不要连接。内部连接。
3.输入专用管脚(地址,命令, CKE , ODT和/ RESET )不提供端接。
t
数据表E1375E50 (版本5.0 )
3