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EDJ1116BABG-DG-E 参数 Datasheet PDF下载

EDJ1116BABG-DG-E图片预览
型号: EDJ1116BABG-DG-E
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内容描述: 1G位DDR3 SDRAM [1G bits DDR3 SDRAM]
分类和应用: 存储内存集成电路动态存储器双倍数据速率时钟
文件页数/大小: 148 页 / 1878 K
品牌: ELPIDA [ ELPIDA MEMORY ]
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EDJ1108BABG , EDJ1116BABG
引脚配置( × 8配置)
/ xxx表示低电平有效的信号。
78球FBGA ( × 8配置)
1
A
2
3
NC
7
8
9
VDD
VSS
B
VDD
NU / ( / TDQS )
VSS
VSS VSSQ
C
DQ0
的DQ
/ DQS
DQ4
/ RAS
/ CAS
/ WE
BA2
A0
A2
DM / TDQS
VDDQ VSSQ
VDDQ
D
DQ2
DQ6
DQ1
VDD
DQ7
CK
/ CK
A10(AP)
NC
DQ3
VSS
DQ5
VSS
VDD
ZQ
VSSQ
VSSQ
E
VSSQ
VDDQ
NC
VREFDQ VDDQ
F
NC
G
VSS
VDD
/ CS
BA0
A3
A5
ODT
H
CKE
NC
NC
J
VSS
K
VREFCA
VSS
VDD
VSS
VDD
L
A12(/BC)
BA1
A1
A4
VSS
M
N
VDD
A7
A9
A11
NC
( TOP VIEW )
A6
A8
VDD
VSS
/ RESET
A13
VSS
引脚名称
A0到A13 *
3
功能
地址输入
A10 ( AP) :自动预充电
A12 ( / BC ) :突发印章
3
引脚名称
/ RESET *
VDD
VSS
VDDQ
VSSQ
VREFDQ
VREFCA
ZQ
NC *
NU *
1
2
3
功能
低电平有效的异步复位
电源电压为内部电路
地上的内部电路
电源电压为DQ电路
地面DQ电路
参考电压DQ
参考电压
参考引脚ZQ校准
无连接
不可用
BA0至Ba2 *
DQ0到DQ7
DQS , / DQS
BANK SELECT
数据输入/输出
差分数据选通信号
终止数据选通
芯片选择
3
TDQS , / TDQS
/ CS *
3
/ RAS , / CAS , /我们*
CKE *
3
命令输入
时钟使能
差分时钟输入
写数据面膜
CK , / CK
DM
ODT *
3
ODT控制
注意事项: 1.不与内部芯片连接。
2.不要连接。内部连接。
3.输入专用管脚(地址,命令, CKE , ODT和/ RESET )不提供端接。
数据表E1248E40 (版本4.0 )
3