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EDS1232ECBH-9ATT-E 参数 Datasheet PDF下载

EDS1232ECBH-9ATT-E图片预览
型号: EDS1232ECBH-9ATT-E
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内容描述: 128M位的SDRAM 128M位的SDRAM [128M bits SDRAM 128M bits SDRAM]
分类和应用: 存储内存集成电路动态存储器
文件页数/大小: 50 页 / 722 K
品牌: ELPIDA [ ELPIDA MEMORY ]
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EDS1232ECBH-9ATT
电气规格
所有电压参考VSS ( GND) 。
上电后,执行上电顺序和初始化顺序正确的设备运行达到之前
(参考上电顺序)。
绝对最大额定值
参数
任何引脚相对于VSS的电压
电源电压相对于Vss
短路输出电流
功耗
工作环境温度
符号
VT
VDD
IOS
PD
TA
TSTG
等级
-0.5至VDD 0.3 ( ≤ 2.4最大)
-0.5到+2.4
50
1.0
-20至+85
-55到+125
单位
V
V
mA
W
°C
°C
EO
储存温度
参数
电源电压
输入高电压
输入低电压
小心
该设备暴露在压力超过上述绝对最大额定值可能会导致
永久性损坏。该装置并不意味着超出限制的条件下操作
在本说明书中的操作部分中描述。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能影响器件的可靠性。
建议的直流工作条件( TA = -20 ° C至+ 85°C )
符号
VDD , VDDQ
VSS , VSSQ
分钟。
1.7
0
0.8
×
VDD
–0.3
马克斯。
1.9
0
VDD + 0.3
0.3
单位
V
V
V
V
笔记
1
2
3
4
L
VIH
VIL
注:1 。
2.
3.
4.
与所有VDD和VDDQ的管脚的电源电压必须在相同的水平。
与所有VSS和VSSQ引脚的电源电压必须在相同的水平。
VIH = VDD + 0.5V (在VIH (最大脉冲宽度的高峰期。 )
3ns).
VIL的底部= VSS - 1.0V (在VIL (分脉冲宽度) 。
3ns).
初步数据表E0878E10 (版本1.0 )
od
Pr
uc
t
4