欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

EDS1232ECBH-9ATT-E 参数 Datasheet PDF下载

EDS1232ECBH-9ATT-E图片预览
型号: EDS1232ECBH-9ATT-E
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: 128M位的SDRAM 128M位的SDRAM [128M bits SDRAM 128M bits SDRAM]
分类和应用: 存储内存集成电路动态存储器
文件页数/大小: 50 页 / 722 K
品牌: ELPIDA [ ELPIDA MEMORY ]
 浏览型号EDS1232ECBH-9ATT-E的Datasheet PDF文件第1页浏览型号EDS1232ECBH-9ATT-E的Datasheet PDF文件第2页浏览型号EDS1232ECBH-9ATT-E的Datasheet PDF文件第3页浏览型号EDS1232ECBH-9ATT-E的Datasheet PDF文件第4页浏览型号EDS1232ECBH-9ATT-E的Datasheet PDF文件第6页浏览型号EDS1232ECBH-9ATT-E的Datasheet PDF文件第7页浏览型号EDS1232ECBH-9ATT-E的Datasheet PDF文件第8页浏览型号EDS1232ECBH-9ATT-E的Datasheet PDF文件第9页  
EDS1232ECBH-9ATT
直流特性1 ( TA = -20 ° C至+ 85°C , VDD , VDDQ = 1.8V ± 0.1V , VSS , VSSQ = 0V)
参数
/ CAS延时
工作电流
符号
IDD1
GRADE
马克斯。
60
单位
mA
测试条件
突发长度= 1
的tRC =的tRC (分钟)
VIL
0.3V , VIH
0.8V
×
VDD
CKE
0.3V,
TCK TCK = (分钟)
VIL
0.3V , VIH
0.8V
×
VDD
CKE
0.3V , TCK =
VIL
0.3V , VIH
0.8V
×
VDD
CKE , / CS = VIH ,
TCK TCK = (分钟)
VIL
0.3V , VIH
0.8V
×
VDD
CKE = VIH , TCK =
∞,
VIL
0.3V , VIH
0.8V
×
VDD
CKE
VIL ,
TCK TCK = (分钟)
VIL
0.3V , VIH
0.8V
×
VDD
CKE
VIL , TCK =
VIL
0.3V , VIH
0.8V
×
VDD
CKE , / CS = VIH ,
TCK TCK = (分钟)
VIL
0.3V , VIH
0.8V
×
VDD
CKE = VIH , TCK =
∞,
VIL
0.3V , VIH
0.8V
×
VDD
TCK TCK = (分钟) ,
BL = 4
VIL
0.3V , VIH
0.8V
×
VDD
的tRC =的tRC (分钟)
VIL
0.3V , VIH
0.8V
×
VDD
笔记
1, 2, 3
在断电的待机电流
在断电的待机电流
(输入信号稳定)
待机电流在非掉电
IDD2P
IDD2PS
IDD2N
IDD2NS
IDD3P
IDD3PS
2
2
15
7
4
3
20
10
75
140
3
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
6
7
4
8
1, 2, 6
2, 7
1, 2, 4
2, 8
1, 2, 5
3
EO
突发工作电流
刷新当前
自刷新电流
待机电流在非掉电
(输入信号稳定)
在掉电主动待机电流
在掉电主动待机电流
(输入信号稳定)
在非掉电IDD3N主动待机电流
在非掉电主动待机电流
IDD3NS
(输入信号稳定)
注:1.国际直拨依赖于输出负载条件下,当被选择的设备。国际直拨(最大)是在输出指定
开放的条件。
2.一家银行的操作。
3.输入信号的每一个时钟更换一次。
4.输入信号每两个时钟更换一次。
5.输入信号每四个时钟更换一次。
6.在掉电模式下, CLK工作电流。
7.在掉电模式下,没有CLK工作电流。
8.输入信号VIH或VIL固定。
初步数据表E0878E10 (版本1.0 )
L
IDD4
IDD5
IDD6
od
Pr
5
VIL
0.3V , VIH
0.8V
×
VDD
uc
t