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EDS1232ECBH-9ATT-E 参数 Datasheet PDF下载

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型号: EDS1232ECBH-9ATT-E
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内容描述: 128M位的SDRAM 128M位的SDRAM [128M bits SDRAM 128M bits SDRAM]
分类和应用: 存储内存集成电路动态存储器
文件页数/大小: 50 页 / 722 K
品牌: ELPIDA [ ELPIDA MEMORY ]
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EDS1232ECBH-9ATT
直流特性2 ( TA = -20 ° C至+ 85°C , VDD , VDDQ = 1.8V ± 0.1V , VSS , VSSQ = 0V)
参数
输入漏电流
输出漏电流
输出高电压
输出低电压
符号
ILI
国际劳工组织
VOH
VOL
分钟。
–1
–1.5
VDD -0.2
马克斯。
1
1.5
0.2
单位
µA
µA
V
V
测试条件
0
VIN
VDD
0
VOUT
VDD , DQ =取消
IOH = -0.1毫安
IOL = 0.1毫安
1
1
笔记
注:1,驱动力是一半的条件。
引脚电容( TA = 25℃ , VDD和VDDQ = 1.8V ± 0.1V )
参数
输入电容
符号
CI1
CI2
CI / O
引脚
CLK
分钟。
2.0
典型值。
马克斯。
3.5
3.5
5.5
单位
pF
pF
pF
笔记
1, 2, 4
1, 2, 4
1, 2, 3, 4
地址, CKE , / CS ,
/ RAS , / CAS , / WE , 2.0
DQM
DQ
3.0
EO
数据输入/输出
电容
注:1 。
2.
3.
4.
电容与Boonton的仪表或有效电容测量方法进行测定。
测量条件: F = 1MHz时, 0.5
×
VDDQ , 200mV的摆动。
DQM = VIH禁用DOUT 。
这个参数进行采样,而不是100 %测试。
初步数据表E0878E10 (版本1.0 )
L
od
Pr
uc
t
6