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EDS5108ABTA-6B 参数 Datasheet PDF下载

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型号: EDS5108ABTA-6B
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内容描述: 512M位的SDRAM [512M bits SDRAM]
分类和应用: 动态存储器
文件页数/大小: 52 页 / 558 K
品牌: ELPIDA [ ELPIDA MEMORY ]
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EDS5104ABTA , EDS5108ABTA , EDS5116ABTA
电气规格
所有电压参考VSS ( GND) 。
上电后(指上电顺序) 。
绝对最大额定值
参数
任何引脚相对于VSS的电压
电源电压相对于Vss
短路输出电流
功耗
工作温度
储存温度
符号
VT
VDD
IOS
PD
TA
TSTG
等级
-0.5至VDD + 0.5 ( ≤
4.6 (最大) )
-0.5到+4.6
50
1.0
0至+70
-55到+125
单位
V
V
mA
W
°C
°C
小心
该设备暴露在压力超过上述绝对最大额定值可能会导致
永久性损坏。该装置并不意味着超出限制的条件下操作
在本说明书中的操作部分中描述。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能影响器件的可靠性。
推荐工作条件( TA = 0 〜70 ° C)
°
参数
电源电压
符号
VDD , VDDQ
VSS , VSSQ
输入高电压
输入低电压
VIH
VIL
分钟。
3.0
0
2.0
–0.3
马克斯。
3.6
0
VDD + 0.3
0.8
单位
V
V
V
V
笔记
1
2
3
4
注:1 。
2.
3.
4.
与所有VDD和VDDQ的管脚的电源电压必须在相同的水平。
与所有VSS和VSSQ引脚的电源电压必须在相同的水平。
VIH (最大) = VDD + 2.0V的脉冲宽度
3ns
在VDD 。
VIL (分钟) = VSS - 2.0 V的脉冲宽度
为3ns的VSS 。
初步数据表E0250E10 (版本1.0 )
4