EDS5104ABTA ， EDS5108ABTA ， EDS5116ABTA
测试条件
•
输入和输出定时的基准等级： 1.4V
•
输入波形和输出负载：见下面的图
2.4 V
输入
0.4 V
2.0 V
0.8 V
I / O
CL
t
T
tT
输出负载
频率和最低延迟的关系
参数
频率（MHz）
TCK （ NS ）
主动命令列命令
（同一银行）
active命令激活命令
（同一银行）
主动命令预充电命令
（同一银行）
预充电命令来启动命令
（同一银行）
写恢复或数据输入到预充电
命令（同一银行）
active命令激活命令
（不同银行）
自刷新退出时间
在主动命令的最后一个数据
（自动预充电，同一家银行）
自刷新退出命令输入
预充电命令，高阻抗
（CL = 2）的
（CL = 3）的
符号
LRCD
LRC
LRAS
LRP
LDPL
lRRD
lSREX
lDAL
LSEC
lHZP
lHZP
-6B
166
6.0
3
10
7
3
2
2
1
5
10
—
3
1
—
–2
1
0
0
2
1
2
0
1
-7A
133
7.5
2
8
6
2
2
2
1
4
8
2
3
1
–1
–2
1
0
0
2
1
2
0
1
7.5
3
9
6
3
2
2
1
5
9
2
3
1
–1
–2
1
0
0
2
1
2
0
1
笔记
1
1
1
1
1
1
2
= [ lDPL + LRP ]
= [歌词]
3
-75
最后的数据出来活动命令
LAPR
（自动预充电，同一家银行）
最后出来的数据预充电（早期预充电）
（CL = 2）的
LEP
（CL = 3）的
列命令列指令
写命令的延迟数据
DQM中的数据
DQM到数据输出
CKE到CLK禁用
寄存器设置为活动的命令
/ CS指挥禁用
断电退出命令输入
LEP
LCCD
lWCD
LDID
LDOD
LCLE
lMRD
LCDD
LPEC
注：1。 IRCD到IRRD推荐值。
2.在自刷新退出的下一个命令有效[ DESL ]或[ NOP ] 。
3.除[ DESL ]和[ NOP ]
初步数据表E0250E10 （版本1.0 ）
7
ELPIDA [ ELPIDA MEMORY ]
