EDS5104ABTA ， EDS5108ABTA ， EDS5116ABTA
引脚电容（ TA = 25℃ ， VDD和VDDQ = 3.3V ± 0.3V ）
参数
输入电容
符号
CI1
CI2
数据输入/输出电容
CI / O
引脚
CLK
地址， CKE ， / CS ， / RAS ，
/ CAS ， / WE ， DQM ，
DQ
分钟。
2.5
2.5
4
典型值
—
—
—
马克斯。
3.5
3.8
6.5
单位
pF
pF
pF
笔记
1, 2, 4
1, 2, 4
1, 2, 3, 4
注：1 。
2.
3.
4.
电容与Boonton的仪表或有效电容测量方法进行测定。
测量条件： F = 1MHz时， 1.4V偏置， 200mV的摆动。
DQM = VIH禁用DOUT 。
这个参数进行采样，而不是100 ％测试。
AC特性（ TA = 0〜 + 70 ° C， VDD ， VDDQ = 3.3V ± 0.3V ， VSS ， VSSQ = 0V）
°
-6B
参数
系统时钟周期
CLK高脉冲宽度
CLK低脉冲宽度
从CLK访问时间
数据输出保持时间
CLK到数据输出低阻抗
CLK到数据输出高阻抗
输入建立时间
输入保持时间
REF /主动为参考/主动命令
期
至预充电命令
期
主动命令列
命令（同一银行）
预充电到激活命令
期
写恢复或数据到
预充电交货时间
最后一个数据为主动延迟
有源（一）活动（二）命令
期
转换时间（上升和下降）
刷新周期
（ 8192刷新周期）
符号
TCK
总胆固醇
TCL
TAC
TOH
TLZ
太赫兹
TSI
THI
TRC
tRAS的
tRCD的
激进党
tDPL
tDAL
TRRD
tT
TREF
分钟。
6.0
2.5
2.5
—
2.5
1
—
1.5
0.8
60
42
18
18
12
2CLK +
18ns
12
0.5
—
马克斯。
—
—
—
5.0
—
—
5.4
—
—
—
120000
—
—
—
—
—
5
64
-7A
分钟。
7.5
2.5
2.5
—
3.0
1
—
1.5
0.8
60
45
15
15
15
2CLK +
15ns
15
0.5
—
马克斯。
—
—
—
5.4
—
—
5.4
—
—
—
120000
—
—
—
—
—
5
64
-75
分钟。
7.5
2.5
2.5
—
3.0
1
—
1.5
0.8
67.5
45
20
20
15
2CLK +
20ns
15
0.5
—
马克斯。
—
—
—
5.4
—
—
5.4
—
—
—
120000
—
—
—
—
—
5
64
ns
ns
ms
1
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
笔记
1
1
1
1, 2
1, 2
1, 2, 3
1, 4
1
1
1
1
1
1
1
注：1 。
2.
3.
4.
AC测量假设TT = 0.5ns的。参考电平输入信号的时序为1.4V 。
存取时间的测量是在1.4V 。负载条件是CL = 50pF的。
TLZ （分）限定在其中的输出端达到低阻抗状态的时间。
太赫兹（最大）限定在其中的输出达到高阻抗状态的时间。
初步数据表E0250E10 （版本1.0 ）
6
ELPIDA [ ELPIDA MEMORY ]
