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EDX5116ADSE-3C-E 参数 Datasheet PDF下载

EDX5116ADSE-3C-E图片预览
型号: EDX5116ADSE-3C-E
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内容描述: 512M比特DRAM XDR⑩ [512M bits XDR™ DRAM]
分类和应用: 存储内存集成电路动态存储器
文件页数/大小: 78 页 / 3518 K
品牌: ELPIDA [ ELPIDA MEMORY ]
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EDX5116ADSE
图11
交错的交易
有效吨
RC
时间增加4吨
周期
T
10
T
11
T
12
T
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T
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T
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T
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T
0
CFM
CFMN
RQ11..0
(法)
RQ11..0
( COL)
法案
a0
T
1
T
2
T
3
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4
T
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T
9
t
RR
WR
a1
WR
a2
法案
b0
WR
b1
t
RC
WR
b2
法案
c0
WR
c1
WR
c2
法案
d0
WR
d1
WR
d2
法案
e0
∆t
RC
WR
e1
WR
e2
法案
f0
WR
f1
t
周期
WR
f2
DQ15..0
t
RCD -W
DQN15..0
RQ11..0
(预)
RQ11..0
(全部)
ACT WR
a0
a1
t
CC
D(a1)
D(a2)
D(b1)
D(b2)
D(c1)
D(c2)
PRE
a3
D(d1)
D(d2)
PRE
b3
D(e1)
D(e1)
PRE
c3
t
CWD
WR WR ACT
a2
b0
b1
t
WRP
WR WR ACT
b2
c0
c1
∆t
WRP
t
RP
WR ACT WR PRE WR ACT WR PRE WR ACT WR PRE WR
f1
f2
c2
d0
d1
a3
d2
e0
e1
b3
e2
f0
c3
BA, BB, BC , BD ,BE
不同
银行。
BF =巴
交易一: WR
事务B : WR
交易C: WR
事务D : WR
交易E: WR
成交F: WR
A0 = {钡,镭}
B0 = { BB,铷}
C0 = { BC , RC }
D0 = { BD ,路}
E0 = { BE,再}
F0 = { BF,的Rf }
A1 = { BA, Ca1的}
B1 = { BB, Cb1的}
C1 = { BC , CC1 }
D1 = { BD , CD1 }
E1 = {争取,CE1上}
F1 = { BF, Cf1中}
A2 = {钡,钙}
B2 = {降B ,CB }
C2 = { BC , Cc2的}
D2 = { BD ,镉}
E2 = { BE, α2 }
F2 = { BF, CF 2 }
A3 = { }霸
b3 = {Bb}
C3 = { BC }
D3 = { BD }
E3 = { }要
F3 = { }的Bf
交错的页面空写示例
T
0
CFM
CFMN
RQ11..0
(法)
RQ11..0
( COL)
DQ15..0
DQN15..0
RQ11..0
(预)
RQ11..0
(全部)
法案
a0
法案
a0
T
1
T
2
T
3
T
4
T
5
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6
T
7
T
8
T
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T
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23
法案
b0
t
RC
RD
a1
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法案
c0
RD
b1
RD
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法案
d0
RD
c1
RD
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法案
e0
RD
d1
RD
d2
法案
f0
RD
e1
t
周期
RD
e2
t
RR
t
RCD -R
t
CAC
Q(a1)
Q(a2)
Q(b1)
Q(b2)
PRE
c3
Q(c1)
Q(c2)
PRE
d3
t
CC
ACT RD
b0
a1
t
RDP
PRE
a3
t
RP
PRE
b3
RD ACT RD PRE RD ACT RD PRE RD ACT RD PRE RD ACT RD PRE RD
a2
c0
b1
a3
b2
d0
c1
b3
c2
e0
d1
c3
d2
f0
e1
d3
e2
BA, BB, BC , BD是
不同的银行。
BE =巴
交易一: RD
事务B : RD
交易C: RD
事务D : RD
交易E: RD
A0 = {钡,镭}
B0 = { BB,铷}
C0 = { BC , RC }
D0 = { BD ,路}
E0 = { BE,再}
A1 = { BA, Ca1的}
B1 = { BB, Cb1的}
C1 = { BC , CC1 }
D1 = { BD , CD1 }
E1 = {争取,CE1上}
A2 = {钡,钙}
B2 = {降B ,CB }
C2 = { BC , Cc2的}
D2 = { BD ,镉}
E2 = { BE, α2 }
A3 = { }霸
b3 = {Bb}
C3 = { BC }
D3 = { BD }
E3 = { }要
交错的页面空读示例
数据表E1033E40 (版本4.0 )
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