欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

EDX5116ADSE-3C-E 参数 Datasheet PDF下载

EDX5116ADSE-3C-E图片预览
型号: EDX5116ADSE-3C-E
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: 512M比特DRAM XDR⑩ [512M bits XDR™ DRAM]
分类和应用: 存储内存集成电路动态存储器
文件页数/大小: 78 页 / 3518 K
品牌: ELPIDA [ ELPIDA MEMORY ]
 浏览型号EDX5116ADSE-3C-E的Datasheet PDF文件第32页浏览型号EDX5116ADSE-3C-E的Datasheet PDF文件第33页浏览型号EDX5116ADSE-3C-E的Datasheet PDF文件第34页浏览型号EDX5116ADSE-3C-E的Datasheet PDF文件第35页浏览型号EDX5116ADSE-3C-E的Datasheet PDF文件第37页浏览型号EDX5116ADSE-3C-E的Datasheet PDF文件第38页浏览型号EDX5116ADSE-3C-E的Datasheet PDF文件第39页浏览型号EDX5116ADSE-3C-E的Datasheet PDF文件第40页  
EDX5116ADSE
图21
7
RQ扫描高( RQH )注册
6
5
4
3
2
1
0
版权所有
RQH [3 :0]的
RQ扫描寄存器高
SADR [7: 0]: 00000110
2
读/写寄存器
RQH [ 7 : 0 ]复位为00000000
2
RQH [3: 0] - RQ的锁存值[11:8 ]中的RQ丝测试模式。
图22
7
RQ扫描低( RQL )注册
6
5
4
3
2
1
0
RQL [7 :0]的
RQ扫描寄存器低
SADR [7: 0]: 00000111
2
读/写寄存器
RQL [ 7 : 0 ]复位为00000000
2
RQL [ 7 : 0 ] - [ 7:0 ]在RQ线测试模式RQ的锁存值。
图23
7
刷新银行( REFB )控制寄存器
6
5
4
3
2
1
0
膜生物反应器[1:0 ]
版权所有
BANK [ 2:0]
刷新存储控制寄存器
SADR [7: 0]: 00001000
2
读/写寄存器
REFB [ 7 : 0 ]复位为00000000
2
BANK [ 2:0] - 刷新银行领域。
此字段返回该行地址为下自刷新能操作
ATION在电源掉电时的状态。
膜生物反应器[ 1:0] - 多行和多列的刷新控制字段。
00
2
- 单银行的刷新。
10
2
- 保留
11
2
- 保留
01
2
- 保留
数据表E1033E40 (版本4.0 )
36