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EDX5116ADSE-3C-E 参数 Datasheet PDF下载

EDX5116ADSE-3C-E图片预览
型号: EDX5116ADSE-3C-E
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内容描述: 512M比特DRAM XDR⑩ [512M bits XDR™ DRAM]
分类和应用: 存储内存集成电路动态存储器
文件页数/大小: 78 页 / 3518 K
品牌: ELPIDA [ ELPIDA MEMORY ]
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EDX5116ADSE
注册摘要
内存组件。控制寄存器是负责
配置组件的运行模式,管理
电源状态的转换,管理更新,以及manag-
荷兰国际集团校准操作。
一控制寄存器可包含多达8位。每个图
显示定义的位以白色和保留位为灰色。保留的
位必须写入0 ,读时必须被忽略。
阅读时只写字段必须被忽略
每个图显示以下注册信息:
1.
2.
3.
4.
5.
6.
注册名称
注册助记符
寄存器地址( SADR [7:0 ]所需要的值来对其进行访问)
只读,只写或读写
初始化状态
每个寄存器定义字段的说明
两个字段。第一个是对PX字段。当该字段被写入
从掉电1 ,存储器组件的转换
到激活状态。它通常是没有必要写一个0到该
场;这是自动由PDN命令在完成
COLX包。 PST的字段指示当前的电源状态
存储器组件的。
数据通过串行接口写入到存储器。
两个领域:银行和MBR 。在银行领域的读写
并包含在所使用的自刷新银行地址
断电状态。在MBR领域的控制有多少银行
每个刷新操作中刷新的。图24 ,图25中的
图26显示的刷新行雷吉斯不同领域
之三(高​​,中,低) 。本读写字段包含
采用自并自动刷新行地址。请参阅“反式刷新
寄存器。它们所包含的CCVALUE0和CCVALUE1
域,分别。这些读写控制哪些领域
IOL电流的DQ和DQN引脚驱动量
在读事务。当前校准寄存器0
控制偶数DQ和DQN引脚,以及当前
租校准1控制奇数DQ和DQN
销。
ING 。它不被读取或在正常操作期间写入。
的t
CAC
和T
CWD
所使用的组件。请参阅“计时
包含该SID [5: 0](序列标识字段) 。此字段
包含该设备的序列标识值。值
相比于该SID [5:0 ]字段中的串行事务到
确定该串行交易涉及这个装置。该
序列标识值是在初始化过程中设置
序列。
场。首先是宽度的字段。此字段允许num-
用于存储DQ / DQN引脚BER读写
访问进行调整。在SLE字段允许将令状数据
10成通过使用串行接口的存储器
WDSL寄存器。
图17
7
串行标识( SID )注册
6
5
4
3
2
1
0
版权所有
SID [5:0 ]
串行识别寄存器
SADR [7: 0]: 00000001
2
只读寄存器
SID [ 7 : 0 ]复位为00000000
2
SID [ 5 : 0 ] - 串口标识字段。
这个字段包含该设备的序列标识值。
该值与该SID [5:0 ]字段中的串行交易
以确定该序列的事务被引导到该设备。
序列标识值是在初始化过程中设置
序列。
数据表E1033E40 (版本4.0 )
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