EDX5116ADSE
图18
7
配置（ CFG ）寄存器
6
5
4
3
2
1
0
RSRV
rsrv SLE rsrv
宽度[2：0 ]
配置寄存器
SADR [7： 0]： 00000010
2
读/写寄存器
CFG [ 7 ： 0 ]复位为00000100
2
宽度[ 2 ： 0 ] - 设备接口宽度的字段。
000
2
- 保留。
001
2
- 保留。
010
2
- x4设备宽度
011
2
- X8设备宽度
100
2
- X16设备宽度
101
2
, 110
2
, 111
2
- 保留
SLE - 串联负载使外地。
0
2
- WDSL路径到存储器禁用
1
2
- WDSL路径到存储器使能
图19
7
功率管理（PM）注册
6
5
4
3
2
1
0
PST [1：0 ]
版权所有
PX
电源管理注册
SADR [7： 0]： 00000011
2
读/写寄存器
PM [ 7 ： 0 ]复位为00000000
2
PX - 掉电出口领域（写1只，读=零）
0
2
- 掉电入门 - 不写零 - 使用PDN命令
1
2
- 掉电退出 - 写一个退出
PST [ 1 ： 0 ] - 电源状态字段（只读） 。
00
2
- 掉电（具有自刷新）
01
2
- 主动/主动闲置
10
2
- 保留
11
2
- 保留
图20
7
写数据串行加载（ WDSL ）控制寄存器
6
5
4
3
2
1
0
WDSD [7 ：0]的
写串行数据负载控制寄存器
读/写寄存器
SADR [7： 0]： 00000100
2
WDSL [ 7 ： 0 ]复位为00000000
2
WDSD [7： 0] - 写该寄存器放置8位数据进
串行 - 并行转换逻辑（的“解复用”块
“t
CC
“值得写入数据。随后WR命令（
SLE = 1在图18中的CFG寄存器）将这些数据写入（而
比DQ数据）的存储库的读出放大器。换挡
为了在写入数据示于表10 。
数据表E1033E40 （版本4.0 ）
35
ELPIDA [ ELPIDA MEMORY ]
