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EDX5116ADSE-3C-E 参数 Datasheet PDF下载

EDX5116ADSE-3C-E图片预览
型号: EDX5116ADSE-3C-E
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内容描述: 512M比特DRAM XDR⑩ [512M bits XDR™ DRAM]
分类和应用: 存储内存集成电路动态存储器
文件页数/大小: 78 页 / 3518 K
品牌: ELPIDA [ ELPIDA MEMORY ]
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EDX5116ADSE
同时预充电
当XDR DRAM支持多个银行套在
ERAW并同时激活。这个功能是simulta-
neous预充电,以及几种情况下的时序如图
经t
PP
参数指定之间的最小间距
在XDR DRAM的预充电命令与赎罪包
GLE银行集或数据包发送到同一银行设定的XDR之间
DRAM与多个银行套。经t
PP -D
参数指定
与预充电的COM信息包之间的最小间距
mands不同银行设置的XDR DRAM多
银行集。
在图47中,案例4给出了一个例子,当二者吨
PP
和T
PP-
D
必须至少为4 *吨
周期
。在这种情况下,预充电的COM
mands到不同的银行集合满足同样的约束作为预
充电命令,以相同的银行集合。
在图47中,第2种情况给出了一个例子当t
PP
必须是在
至少4 * T
周期
和T
PP -D
必须至少为2 *吨
周期
。在这样的
情况下,预充电命令到1行集可以被插入
图47
同时预充电
t
PP -D
案例
案例4 :吨
PP -D
= 4*t
周期
REFP & PRE具有相同的吨
RR
T
0
CFM
CFMN
RQ11..0
DQ15..0
DQN15..0
PRE
REFP
在两个预充电命令到不同的银行集合。
在图47中,第1种情况给出了一个示例当t
PP
必须是在
至少4 * T
周期
和T
PP -D
必须至少为1 *吨
周期
。如在
前面的情况下,预充电命令到1行集可以是
2预充电命令之间插入到其他银行
设置的。在这种情况下,中间的预充电命令不具有
被对称地置于相对于两个外预充电
命令。
在图47中,凯斯0给出了一个例子当t
PP
必须是在
至少4 * T
周期
和T
PP -D
必须至少为0 *吨
周期
。这
是指两个预充电命令可以对发出
同CFM时钟边沿。这可以通过使用延迟
机制,在两个命令中的一个。请参阅“动态
优势的是,有两个独立的预充电的COM
mands可以单个ROWP包中编码。在
例子所示, ROWP包包含一个REFP
命令和PRE命令。这两种预充电命令
将在内部发出给不同的存储体组上的同
CFM时钟边沿。
案例2 :吨
PP -D
= 2*t
周期
两个预REFP之间的配合
T
9
T
10
T
11
T
12
T
13
T
14
T
15
T
16
T
17
T
18
T
19
T
20
T
21
T
22
T
23
T
1
T
2
T
3
T
4
T
5
T
6
T
7
T
8
t
PP -D
t
PP -D
PRE
PRE
REFP
PRE
t
周期
t
PP -D
t
PP
案例1:T
PP -D
= 1*t
周期
两个预REFP之间的配合
T
0
T
1
T
2
T
3
T
4
T
5
T
6
T
7
T
8
T
9
注 - REFP是针对银行
设置两个不同的PRE
a
情况下0 :吨
PP -D
= 0*t
周期
REFP同时预
T
10
T
11
T
12
T
13
T
14
T
15
T
16
T
17
T
18
T
19
T
20
T
21
T
22
T
23
CFM
CFMN
RQ11..0
DQ15..0
DQN15..0
PRE REFP
PRE
PRE
REFP
PRE
t
周期
t
PP -D
t
PP
t
PP -D
注 - REFP是针对银行
设置两个不同的PRE
t
PP
注 - REFP是针对银行
在T设置不同的PRE
12
一) EDX5116ADSE不支持case0 。
吨的最小值
PP -D
1。
数据表E1033E40 (版本4.0 )
57