EDX5116ADSE
表13
定时
符号
t
CMD -CALC
, t
CMD- CALZ
,
t
CALCE
, t
CALZE
t
CALE -CMD
t
CMD- PDN
t
PDN- CFM
t
CFM- PDN
t
PDN -CMD
条件（续）
最低
4
16
12
24
16
16
16
4096
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
单位
t
周期
t
周期
t
周期
t
周期
t
周期
t
周期
t
周期
图（多个）
图35
图35
图36
图36
图36
图36
参数等条件
数据包之间的延迟与任何命令
而CALC / CALZ包
W / PRE或REFP命令
瓦特/任何其他命令
CALC / CALZ包和CALE数据包之间的延迟
CALE数据包和数据包的任何命令之间的延迟
PDN入境前最后一个命令
PDN入境后RSL CFM / CFMN稳定
PDN退出前RSL CFM / CFMN稳定
PDN退出后的第一个命令（包括锁定时间CFM / CFMN ）
电气特性
表14总结了所有的电气参数（温度，
电流和电压）描述这个内存康波
新界东北堆填区。唯一的例外是在供给的电流值（余
DD
)
下盖在不同的操作条件
电源电流
租金简介
部分。
的参数的第一部分是关注的热
内存组件的特性。
表14
电动
符号
Θ
JC
I
我， RSL
I
REF ， RSL
V
OSW ， DQ
R
TERM ， DQ
V
OL ， SI
V
OH ， SI
参数
结到外壳热阻
a
参数的第二部分涉及的电流
租金需要的RQ引脚和VREF引脚。
的参数的第三部分是有关与当前
需要的DQ管脚和电压电平由DQ产生
引脚驱动读取数据时。本节还关注
用所需要的VTERM端子的电流，并与
生产的内部终端电阻水平康波
堂费附加到DQ管脚。
的参数的第四部分确定的输出电压
年龄水平和所需的串行接口的信号的电流。
特征
最低
-
-10
-10
0.200
40.0
0.0
V
TERM ， RSLb
- 0.250
0.5
10
10
0.400
60.0
0.250
V
TERM ， RSLb
最大
单位
° C /瓦
µA
µA
V
Ω
V
V
RSL RQ或串行接口输入电流@ （V
IN
=V
IH ， RQ ， MAX
)
V
REF ， RSL
REF ， RSL ， MAX
流入VREF引脚
DRSL DQ输出 - 高 - 低摆幅：
V
OSW ， DQ
= (V
OH ， DQ
-V
OL ， DQN
）或（Ⅴ
OH ， DQN
-V
OL ， DQ
)
DRSL DQ输出 - 终端电阻
RSL串行接口SDO输出 - 低电压
RSL串行接口，SDO输出 - 高电压
一。该软件包安装在其上定义的JEDEC标准JESD 51-9的热测试板。
b.
V
TERM ， RSL
通常是1.200V ± 0.060V 。它连接到RSL终端组件，而不是这种DRAM组件。
数据表E1033E40 （版本4.0 ）
60
ELPIDA [ ELPIDA MEMORY ]
