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    HM5113165FTD-6 参数 Datasheet PDF下载

    HM5113165FTD-6图片预览
    型号： HM5113165FTD-6
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 128M EDO DRAM （ 8 Mword × 16位） 4K的刷新 [128M EDO DRAM (8-Mword × 16-bit) 4k refresh]
    分类和应用： 存储内存集成电路光电二极管动态存储器
    文件页数/大小： 27 页 / 248 K
    品牌： ELPIDA [ ELPIDA MEMORY ]
     浏览型号HM5113165FTD-6的Datasheet PDF文件第1页浏览型号HM5113165FTD-6的Datasheet PDF文件第2页浏览型号HM5113165FTD-6的Datasheet PDF文件第3页浏览型号HM5113165FTD-6的Datasheet PDF文件第4页浏览型号HM5113165FTD-6的Datasheet PDF文件第6页浏览型号HM5113165FTD-6的Datasheet PDF文件第7页浏览型号HM5113165FTD-6的Datasheet PDF文件第8页浏览型号HM5113165FTD-6的Datasheet PDF文件第9页  
    HM5113165FTD-6
    绝对最大额定值
    参数
    任何引脚相对于V端子电压
    SS
    电源电压相到V
    SS
    短路输出电流
    功耗
    符号
    V
    T
    V
    CC
    IOUT
    P
    T
    TSTG
    价值
    -0.5到V
    CC
    +0.5 （ ≤ 4.6 V（最大值） ）
    -0.5到+4.6
    50
    1.0
    -55到+125
    单位
    V
    V
    mA
    W
    °C
    EO
    储存温度
    参数
    电源电压
    输入高电压
    输入低电压
    直流工作条件
    环境温度范围
    注：1.所有的电压被称为V
    SS
    .
    2.所有V电源电压
    CC
    销必须在同一水平上。与所有V电源电压
    SS
    引脚
    必须是在同一水平上。
    L
    符号
    V
    CC
    V
    SS
    V
    IH
    V
    IL
    民
    3.0
    0
    2.0
    –0.3
    0
    典型值
    3.3
    0
    —
    —
    最大
    3.6
    0
    V
    CC
    + 0.3
    0.8
    70
    单位
    V
    V
    V
    V
    ˚C
    笔记
    1, 2
    2
    1
    1
    od
    Pr
    Ta
    —
    数据表E0177H10
    t
    uc
    5

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