HM5113165FTD-6 参数 Datasheet PDF下载

型号：	HM5113165FTD-6
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内容描述：	128M EDO DRAM （ 8 Mword × 16位） 4K的刷新 [128M EDO DRAM (8-Mword × 16-bit) 4k refresh]
分类和应用：	存储内存集成电路光电二极管动态存储器
文件页数/大小：	27 页 / 248 K
品牌：	ELPIDA [ ELPIDA MEMORY ]

HM5113165FTD-6

DC特性

HM5113165F

-6

参数

符号

CC1

CC2

民

—

最大

230

单位

测试条件

=分钟

TTL接口

RAS ， UCAS ， LCAS

= V

DOUT =高阻

CMOS接口

RAS ， UCAS ，

LCAS

≥

– 0.2 V

DOUT =高阻

=分钟

RAS

= V

UCAS ， LCAS

= V

DOUT =启用

=分钟

RAS

= V

CAS

周期，

HPC

= t

HPC

民

0 V

≤

VIN

≤

+ 0.3 V

0 V

≤

VOUT

≤

DOUT =禁用

高IOUT = -2毫安

低IOUT = 2毫安

待机电流

待机电流*

输入漏电流

输出高电压

输出低电压

参数

工作电流*

—

RAS-只

刷新电流*

CAS先于RAS

刷新

当前

EDO页面模式电流*

输出漏电流

注：1。我

依赖于输出负载条件下，当被选择的设备。我

最大值是在输出指定

开放的条件。

2.地址可以一次或更少，而改变

RAS

= V

3.测量每个EDO周期一个连续的地址变更，T

HPC

4. V

≥

– 0.2 V, 0 V

≤

0.2 V.

电容

（ TA = 25 ° C，V

= 3.3 V ± 0.3 V)

符号

I / O

民

—

典型值

—

输入电容（地址）

输入电容（时钟）

输出电容（输入数据，数据出）

注意事项： 1，电容用Boonton的仪表或有效电容测量方法测量。

RAS ， UCAS

和

LCAS

= V

禁用Dout的。

CC3

CC5

CC6

CC7

—

230

—

230

200

–5

µA

2.4

0.4

最大

数据表E0177H10

单位

笔记

1, 2

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