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HM5113165FTD-6 参数 Datasheet PDF下载

HM5113165FTD-6图片预览
型号: HM5113165FTD-6
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内容描述: 128M EDO DRAM ( 8 Mword × 16位) 4K的刷新 [128M EDO DRAM (8-Mword × 16-bit) 4k refresh]
分类和应用: 存储内存集成电路光电二极管动态存储器
文件页数/大小: 27 页 / 248 K
品牌: ELPIDA [ ELPIDA MEMORY ]
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HM5113165FTD-6
AC特性
(大= 0至+ 70 ° C,V
CC
= 3.3 V ± 0.3 V, V
SS
= 0 V) *
1,
*
2,
*
19
测试条件
输入上升和下降时间: 2纳秒
输入脉冲电平: V
IL
= 0 V, V
IH
= 3.0 V
输入时序参考水平: 0.8 V, 2.0 V
输出时序参考水平: 0.8 V, 2.0 V
输出负载: 1 TTL门+ C
L
( 100 pF)的(包括范围和夹具)
读,写,读 - 修改 - 写和更新周期
(公用参数)
HM5113165F
-6
符号
t
RC
t
RP
t
CP
104
40
10
60
10
0
最大
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
23
23
3
4
23
笔记
EO
参数
RAS
预充电时间
CAS
预充电时间
RAS
脉冲宽度
CAS
脉冲宽度
RAS
保持时间
CAS
保持时间
OE
根据DIN延迟时间
随机读或写周期时间
行地址建立时间
行地址保持时间
列地址设置时间
列地址保持时间
RAS
to
CAS
延迟时间
RAS
到列地址的延迟时间
CAS
to
RAS
预充电时间
OE
从锭延迟时间
CAS
从锭延迟时间
转换时间(上升和下降)
L
od
Pr
t
RAS
t
CAS
t
ASR
10000
10000
t
RAH
10
0
t
ASC
t
CAH
10
14
12
15
40
5
15
0
0
2
t
RCD
t
拉德
t
RSH
t
CSH
45
30
50
t
CRP
t
OED
t
DZO
t
DZC
t
T
数据表E0177H10
t
uc
23
5
6
6
ns
7
7