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HM5117405LTS-5 参数 Datasheet PDF下载

HM5117405LTS-5图片预览
型号: HM5117405LTS-5
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内容描述: 16M的EDO DRAM ( 4 - Mword “ 4位), 4K的刷新/ 2 k刷新 [16 M EDO DRAM (4-Mword ´ 4-bit) 4 k Refresh/2 k Refresh]
分类和应用: 存储内存集成电路光电二极管动态存储器
文件页数/大小: 34 页 / 560 K
品牌: ELPIDA [ ELPIDA MEMORY ]
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HM5116405系列, HM5117405系列
读周期
EO
参数
12
HM5116405/HM5117405
-5
符号
t
RAC
t
CAC
t
AA
0
0
50
0
25
15
0
3
3
最大
50
13
25
13
-6
0
0
60
0
30
18
0
3
3
15
3
最大
60
15
30
15
15
15
15
15
-7
0
0
70
0
35
23
0
3
3
18
3
最大
70
18
35
18
15
15
15
15
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
13, 22
13
5
22
22
22
12
12
笔记
8, 9, 20
9, 10, 17,
20
9, 11, 17,
20
9, 20
访问时间从
RAS
访问时间从
CAS
从地址访问时间
访问时间从
OE
READ命令设置时间
读命令保持时间
CAS
读命令保持时间从
RAS
读命令保持时间
RAS
列地址为
RAS
交货时间
列地址为
CAS
交货时间
CAS
到输出低-Z
输出数据保持时间
输出数据保持时间
OE
输出缓冲器关断时间
输出缓冲关断,
OE
CAS
根据DIN延迟时间
输出数据保持时间
RAS
输出缓冲关断,
RAS
输出缓冲关断,
WE
WE
根据DIN延迟时间
RAS
根据DIN延迟时间
RAS
NEXT
CAS
延迟时间
LP
t
OEA
t
RCS
t
RCH
t
RCHR
t
RRH
t
拉尔
t
CAL
t
CLZ
t
OH
t
OHO
t
关闭
t
OEZ
t
CDD
t
高级代表办事处
t
OFR
t
WEZ
t
世界环境日
t
RDD
t
RNCD
数据表E0151H10
ro
13
13
13
3
13
13
50
13
13
du
15
15
60
18
18
70
ct