HM5117405LTS-5 参数 Datasheet PDF下载

型号：	HM5117405LTS-5
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内容描述：	16M的EDO DRAM （ 4 - Mword “ 4位）， 4K的刷新/ 2 k刷新 [16 M EDO DRAM (4-Mword ´ 4-bit) 4 k Refresh/2 k Refresh]
分类和应用：	存储内存集成电路光电二极管动态存储器
文件页数/大小：	34 页 / 560 K
品牌：	ELPIDA [ ELPIDA MEMORY ]

HM5116405系列， HM5117405系列

DC特性

（大= 0至+ 70 ° C，V

= 5 V ± 10%, V

= 0 V）（ HM5116405系列）

HM5116405

-5

符号

CC1

CC2

-6

-7

测试条件

=分钟

TTL接口

RAS ， CAS

= V

DOUT =高阻

CMOS接口

RAS ， CAS

≥

– 0.2 V

DOUT =高阻

CMOS接口

RAS ， CAS

≥

– 0.2 V

DOUT =高阻

=分钟

RAS

= V

CAS

= V

DOUT =启用

=分钟

HPC

=分钟

CMOS接口

DOUT =高阻， CBR

刷新：吨

= 31.3 µs

RAS

≤

0.3 µs

0 V

≤

VIN

≤

7 V

0 V

≤

VIN

≤

7 V

DOUT =禁用

高IOUT = -2毫安

低IOUT = 2毫安

参数

待机电流

（L-版本）

待机电流*

输出高电压

输出低电压

最小值最大值最小值最大值最小值最大值单位

—

工作电流*

, *

RAS-只

刷新电流*

CAS先于RAS

刷新

当前

EDO页面模式电流*

CC7

备用电池电流

CC10

输入漏电流

输出漏电流

注：1。我

依赖于输出负载条件下，当被选择的设备。我

最大值是在指定

输出开路状态。

2.地址可以一次或更少，而改变

RAS

= V

3.地址可以一次或更少，而改变

CAS

= V

—

CC2

—

CC3

CC5

—

CC6

—

2.4

—

150 —

150 µA

—

–10 10

数据表E0151H10

—

350 —

–10 10

2.4

0.4

—

350 —

350 µA

–10 10

µA

2.4

0.4

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