HM538253B / HM538254B系列
同通常的读写周期，所以读，初写和延迟写周期可以被执行。在这
周期中， HM538253B / HM538254B刷新时的下降沿读取的行地址
RAS 。
屏蔽寄存器设置/读周期
（CAS高，
DT / OE
高，
WE
高，并且DSF1低处的下降沿
为r ：
助记码; LMR ）在这个循环中，掩模数据被设定到内部屏蔽寄存器中掩模经常用作
写周期，块写入周期，闪存的写入周期，蒙面写传输，蒙面分写传输。 8位
内部屏蔽寄存器中的每个I / O设置。该屏蔽寄存器由静态电路。因此，一旦它
由CBRR周期复位，它保留直到复位或重新选择数据。一旦LMR被设置，掩模写周期的数据是
写的持续屏蔽数据。因为屏蔽寄存器设置的周期是一样的作为通常的读写
周期，所以读，初写和延迟写周期可以被执行。
闪存写入周期
（CAS高，
ð T / OE
高，
宽E
在下降沿低，并且DSF1高
R A S：
助记符; FW ）在闪存写入周期，数据行（ 512字
×
8位）被清零为0或1 ，每个I / O的
根据在彩色数据之前寄存器提及。还需要屏蔽的I / O在这个周期。
当
CAS
和
DT / OE
被设置为高，
WE
低，并且DSF1是高在下降沿
RAS ，
这个周期开始。
然后，行地址以清除被赋予到行地址。屏蔽数据是相同的RAM写入周期。
循环时间是作为那些RAM的读/写周期，因此，所有位都在通常的1/512清零同一
周期时间。 （见图1 ）
块写入周期
（CAS高，
DT / OE
高和低DSF1在下降沿
RAS ，
DSF1高
WE
低处的下降沿
CAS ：
助记符; BW）在块写入周期，数据的4列（ 4列
×
8位）的
被清除为0或1 ，在每个I / O根据彩色寄存器的数据。列地址A0和A1
忽略不计。对I / O的掩模数据和列地址的掩码数据，可以独立地确定。
在下降沿的I / O电平
CAS
确定要清除的地址。 （见图2 ）的块写入周期
是为相同的通常的写周期，因此早期和延迟写入，读 - 修改 - 写和页面方式写
循环可以被执行。
没有蒙版模式块写入周期
（WE高时的下降沿
RAS ） ：
8我的数据/ O的全部清除
当
WE
是高时的下降沿
RAS 。
面膜块写入周期
（WE低处的下降沿
RAS ） ：当我们
为低电平时的下降沿
RAS ，
在HM538253B / HM538254B开始面具块写入周期，以清除一个可选的I / O数据。面膜
数据是相同的RAM写入周期。高I / O被清零，低I / O不清零，内部数据
被保留。在新的掩模模式中，掩模数据是可用的
RAS
周期。在持续的屏蔽模式， I / O
不关心屏蔽模式。
EO
10
LP
数据表E0163H10
ro
du
ct
ELPIDA [ ELPIDA MEMORY ]
