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HM538253BTT-7 参数 Datasheet PDF下载

HM538253BTT-7图片预览
型号: HM538253BTT-7
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内容描述: 的2M的VRAM ( 256千字×8位)的超页模式( HM538254B ​​) [2 M VRAM (256-kword x 8-bit) Hyper Page Mode (HM538254B)]
分类和应用: 存储内存集成电路光电二极管动态存储器
文件页数/大小: 56 页 / 533 K
品牌: ELPIDA [ ELPIDA MEMORY ]
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HM538253B / HM538254B​​系列
颜色寄存器设置循环
块写入周期
块写入周期
EO
RAS
CAS
地址
WE
DT / OE
DSF1
I / O
*1
12
ROW
ROW
*1
列A2 -A8
ROW
*1
列A2 -A8
WE
I / O掩码数据(在新的蒙版模式)
低:面膜
高:非面膜
在持续的屏蔽模式, I / O H或L
列屏蔽数据
I/O0
I/O1
I/O2
I/O3
传输操作
该HM538253B / HM538254B​​提供读传输周期,分裂读取传输周期,蒙面写
传输周期蒙面分开写传输周期数据传输周期。这些传输周期被设定
主动
CAS
高,
DT / OE
低处的下降沿
RAS 。
他们有以下功能:
行地址和SAM数据寄存器之间传送数据
读传输周期和分裂的读取传输周期: RAM为SAM
蒙面写传输周期和分裂蒙面写传输周期: SAM到RAM
确定SI / O状态(除了分裂读取传输和蒙面分写传输周期)
读传输周期: SI / O输出
蒙面写传输周期: SI / O输入
首先确定SAM在地址栏的地址转移后访问( SAM起始地址) 。
LP
颜色数据
模式
新蒙版模式
一贯
蒙版模式
没有面具
*1
列面膜
*1
列面膜
I / O数据/ RAS
面膜
H或L
(屏蔽寄存器使用)
H或L
Column0 (A0 = 0, A 1 = 0)掩码数据
列1 ( A 0 = 1, A 1 = 0),掩码数据
列2 ( A 0 = 0, A 1 = 1 )掩模数据
Column3 ( A0 = 1时,A 1 = 1 )掩模数据
图2使用块写的
数据表E0163H10
ro
低:面膜
高:非面膜
du
ct