HM538253B / HM538254B系列
表1
在HM538253B / HM538254B的操作周期
（续）
注册
PERS
W.M.
—
RESET
—
No
是的
No
是的
—
—
WM
—
RESET
—
负载/使用
利用
负载/使用
利用
颜色
—
—
—
—
—
数
Bndry
SET
RESET
—
—
利用
—
利用
—
—
—
—
功能
CBR刷新停止寄存器集
CBR刷新带寄存器复位
CBR刷新（不复位）
蒙面写传输（新/老面膜）
蒙面分写传输（新/老面膜）
阅读转移
斯普利特读取传输
读/写（新/旧掩模）
块写入（新/老面膜）
读/写（不带掩码）
块写（不带掩码）
蒙面闪存写入（新/老面膜）
负载屏蔽寄存器老掩模组
负载电阻的颜色设置
EO
助记符
CODE
CBRS
—
—
—
CBRR
CBRN
MWT
是的
是的
—
—
是的
是的
No
No
是的
—
—
—
MSWT
RT
SRT
RWM
BWM
RW（否）
BW （否）
FWM
LMR和
老面膜套装
LCR
选项
8
写
面膜
注意事项： 1. CBRS ，所有SAM操作使用停止寄存器。
2. LMR ， RWM ， BWM ， FWM ， MWT和MSWT后，使用旧的面具可以通过CBRR复位
3. DSF2是在所有的操作（增加在将来的操作模式）的固定低。
HM538253B / HM538254B操作
双口RAM运行
RAM的读周期
（ DT / OE高，
CAS
高和低DSF1在下降沿
RAS ，
DSF1低处坠落
边缘
CAS ：
助记码; R）行地址输入在
RAS
下降沿和列地址处的
c以
下降沿到设备为标准DRAM的操作。然后，当
WE
为HIGH和
DT
/ OE是低电平
而
c以
低时，通过I / O引脚所选择的地址数据输出。在下降沿
RAS
,
DT
/ OE
和
CAS
成为高区分RAM读周期，从传输周期和CBR刷新周期。地址
访问时间（吨
AA
）和
RAS
到列地址的延迟时间（t
拉德
）规格添加，使快速页面
模式/超页模式。
LP
—
—
No
是的
No
是的
No
No
负载/使用
利用
负载/使用
利用
—
—
No
是的
SET
—
—
负载/使用
利用
负载
—
—
—
—
—
—
利用
数据表E0163H10
ro
利用
—
—
—
负载
—
—
—
du
ct
ELPIDA [ ELPIDA MEMORY ]
