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EM621FV16CW55L 参数 Datasheet PDF下载

EM621FV16CW55L图片预览
型号: EM621FV16CW55L
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内容描述: 128K ×8位超低功耗和低电压全CMOS静态RAM [128K x8 bit Super Low Power and Low Voltage Full CMOS Static RAM]
分类和应用:
文件页数/大小: 11 页 / 70 K
品牌: EMLSI [ Emerging Memory & Logic Solutions Inc ]
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融合存储&逻辑解决方案公司
包装尺寸为
36球细间距BGA (高度仅0.75mm ,焊球间距)
顶视图
B
EM610FV8系列
低功耗, 128Kx8 SRAM
单位:毫米
底部视图
A1 INDEX MARK
B
B1
6
A
B
C
5
4
3
2 1
0.5
0.5
Y
C1
C
B/2
#A1
C
D
E
C1/2
F
G
H
SIDE VIEW
0.26
E2
D
0.25 TYP 。
细节A
A
E
E1
A
B
B1
C
C1
D
E
E1
E2
Y
-
5.93
-
6.93
-
0.30
1.00
-
-
-
典型值
0.75
6.00
3.75
7.00
5.25
0.35
1.04
0.79
0.25
-
最大
-
6.03
-
7.03
-
0.40
1.10
-
-
0.08
注。
1.凹凸数: 36 ( 8row X 6column )
2.凸点间距: ( X,Y ) = ( 0.75x0.75 ) (典型值)
3.所有耐性的是+/- 0.050 ,除非
另有规定ED 。
4.典型:典型
5, Y是共面性: 0.08 (最大值)
10
0.79 (典型值) 。
C