融合存储&逻辑解决方案公司
记忆功能指南
EM610FV8系列
低功耗， 128Kx8 SRAM
EM X XX X X X XX X X - XX XX
1. EMLSI记忆
2.设备类型
3.密度
4.选项
5.技术
6.工作电压
1.内存组件
2.设备类型
6 ------------------------低功耗SRAM
7 ------------------------ STRAM
3.密度
1 ------------------------- 1M
2 ------------------------- 2M
4 ------------------------- 4M
8 ------------------------- 8M
16 ----------------------- 16M
32 ----------------------- 32M
64 ----------------------- 64M
4.选项
0 -----------------------双CS
1 -----------------------单CS
5.技术
空白------------------ CMOS
˚F ------------------------全CMOS
6.工作电压
空白------------------- 5V
V ------------------------- 2.7V~3.6V
ü ------------------------- 3.0V
S ------------------------- 2.5V
ř ------------------------- 2.0V
P ------------------------- 1.8V
7. Orginzation
8 ---------------------- ×8位
---------------------- 16位X16
---------------------- 32位X32
11
11.电源
10.速度
9.包
8.版本
7. Orgainzation
8.版本
空白-----------------母模
一个-----------------------第1次修订
B -----------------------第二个版本
Ç -----------------------第三次修改
ð -----------------------第四次修订
9.包
空白----------------------套餐
W¯¯ ---------------------晶圆
10.速度
45 ----------------------为45nS
55 ---------------------- 55ns
70 ----------------------为70ns
85 ---------------------- 85ns
10 ---------------------为100ns
12 --------------------- 120ns的
11.电源
LL ----------------------低压低功耗
LF ----------------------低，低功耗（无铅）
L ----------------------低功耗
S ----------------------标准电源
EMLSI [ Emerging Memory & Logic Solutions Inc ]
