R
EM4150
EM4350
电气特性
V
DD
= 2.5V, V
SS
= 0V ，女
COIL
= 125 kHz的正弦波，V
COIL
= 1V
pp
, T
op
= 25 ° C除非另有说明
参数
符号测试条件
民
电源电压
V
DD
2.0
2.6
V
DDee
最低EEPROM写
电压
电源检查EEPROM写
I
PWcheck
V
DD
= 3V
电源电流/读
就给电流/写
调制器对电压降
谐振电容器
上电复位电平高
时钟提取输入分钟。
时钟提取最多输入。
EEPROM数据的耐力
EEPROM保留
I
rd
I
wr
V
ON
C
r
V
公屋
V
CLKmin
V
clkmax
N
cy
T
RET
读取模式
写模式（V
DD
= 3V)
V
(COIL1–Vss)
和V
(COIL2-Vss)
I
COIL
= 100µA
V
(COIL1–Vss)
和V
(COIL2-Vss)
I
COIL
= 5毫安
166.5
瑞星供应
最小电压为时钟提取
最大电压检测调制停止
全部删除/写入所有在V
DD
= 5V
T
op
= 55°C后100'000个周期（注1 ）
1.0
50
100'000
10
170
2.0
典型值
最大
5.5
单位
V
V
µA
µA
µA
V
V
pF
V
V
pp
mV
pp
周期
岁月
80
3.0
40
5.0
70
0.50
2.50
173.5
2.6
注1 ：
根据千小时在150℃下
时序特性
V
DD
= 2.5V, V
SS
= 0V ，女
COIL
= 125 kHz的正弦波，V
COIL
= 1V
pp
, T
op
= 25 ° C除非另有说明
所有定时都来源于场频和被指定为数字射频周期。
参数
选项：每64位时钟
阅读位周期
LIW / ACK / NACK模式持续时间
读1个字时长
处理暂停时间
写访问时间
初始化时间
EEPROM的写入时间
选项：每位32个时钟周期
阅读位周期
LIW / ACK / NACK模式持续时间
读1个字时长
处理暂停时间
写访问时间
初始化时间
EEPROM的写入时间
符号
Opt64
trdb
tpatt
Trdw
TPP
TWA
TINIT
彧
Opt32
trdb
tpatt
Trdw
TPP
TWA
TINIT
彧
32
160
1600
32
32
1056
2624
RF期
RF期
RF期
RF期
RF期
RF期
RF期
64
320
3200
64
64
2112
3200
RF期
RF期
RF期
RF期
RF期
RF期
RF期
测试条件
价值
单位
包括LIW
VDD = 3V
包括LIW
VDD = 3V
射频段表示由transciever单元发射的载波频率的周期。例如，如果125千赫时：
读位周期（ Opt64 ）将是： 1 / 125'000 * 64 = 512微秒，并读取时间1个字： 1 / 125'000 * 3200 = 25.6毫秒。
读位周期（ Opt32 ）将是： 1 / 125'000 * 32 = 256微秒，并读取时间1个字： 1 / 125'000 * 1600 = 12.8毫秒。
关注
由于线圈的信号的振幅调制，时钟提取器可能会遗漏的时钟或者添加伪时钟紧密
到RF包络线的边缘。这种不同步会不会是每位大于± 3个时钟周期，必须
显影阅读器软件时考虑进去。
版权
©
2004年， EM微电子，马林SA
3
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EMMICRO [ EM MICROELECTRONIC - MARIN SA ]
