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EN25D16-75FI 参数 Datasheet PDF下载

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型号: EN25D16-75FI
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内容描述: 16兆位串行闪存 [16 Megabit Serial Flash Memory]
分类和应用: 闪存
文件页数/大小: 37 页 / 483 K
品牌: EON [ EON SILICON SOLUTION INC. ]
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EN25D16
释放由深
掉电,并且
读取设备ID
释放由深
掉电
制造商/
器件ID
阅读鉴定
进入OTP模式
(4)
DUMMY
DUMMY
DUMMY
(ID7-ID0)
ABH
90h
9Fh
3Ah
DUMMY
(M7-M0)
DUMMY
(ID15-
ID8)
00h(5)
(ID7-
ID0)
(M7-M0)
(ID7-ID0)
注意事项:
1.数据的字节偏移与最高有效位。在括号中数据字节的字段“()”表示数据被读取
在DO引脚的器件。
2.状态寄存器的内容将不断重复,直到CS #终止指令。
3.所有部门可能在行业内使用的任何地址。
4.设备ID将不断重复,直到CS #终止指令。
5.制造商ID和设备ID字节将不断重复,直到CS #终止指令。
00H的字节4开始与MID和相间DID , 01H的字节4开始与DID和相间MID 。
表5.制造商和设备标识
操作码
ABH
90h
9Fh
1Ch
1Ch
3015h
(M7-M0)
(ID15-ID0)
(ID7-ID0)
14h
14h
写使能( WREN ) ( 06H )
写使能( WREN)指令(图5 )设置写使能锁存器( WEL )位。写
使能锁存器( WEL)位之前,必须设置到每一个页编程( PP ) ,扇区擦除( SE ) ,座
擦除( BE ) ,芯片擦除( CE )和写状态寄存器( WRSR )指令。
写使能( WREN)指令,通过驱动芯片选择( CS # )低,送进入
指令代码,然后驱动芯片选择( CS # )高。
图5.写使能指令序列图
该数据表可以通过后续的版本中修改
或修改,由于改变的技术规格。
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©2004宙硅解决方案公司, www.essi.com.tw
版本B ,发行日期: 2008年6月23日