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EN25D16-75FI 参数 Datasheet PDF下载

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型号: EN25D16-75FI
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内容描述: 16兆位串行闪存 [16 Megabit Serial Flash Memory]
分类和应用: 闪存
文件页数/大小: 37 页 / 483 K
品牌: EON [ EON SILICON SOLUTION INC. ]
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EN25D16
除了低功耗的特征,深度掉电模式提供额外的
防止意外写,编程和擦除指令的软件保护,因为所有的指令
被忽略,除了一个特定的指令(从深度掉电指令的发布) 。
表3.受保护的区域大小部门组织
状态寄存器
内容
BP2
BP1
BP0
1
1
1
1
1
0
1
0
1
1
0
0
0
1
1
0
1
0
0
0
1
0
0
0
内存内容
保护块
所有
所有
16〜 31
24至31
28至31
30〜 31
31
地址
000000h-1FFFFFh
000000h-1FFFFFh
100000h-1FFFFFh
180000h-1FFFFFh
1C0000h-1FFFFFh
1E0000h-1FFFFFh
1F0000h-1FFFFFh
密度( KB)
2048KB
2048KB
1024KB
512KB
256KB
128KB
64KB
一部分
所有
所有
上部1/2
上部1/4
上部1/8
上1/16
上1/32
锁定功能
的保持(HOLD)信号用于暂停与该设备的任何串行通信,而不复位 -
婷的时钟序列。但是,采取这种低信号不会终止任何写状态
寄存器,编程或擦除周期正在进行中。
进入保持状态,设备必须选择,带片选( CS # )低。保持
情况开始于保持(HOLD)信号的下降沿,只要该恰逢系列
时钟(CLK)为低(见图4 ) 。
在保持(HOLD)信号的上升沿保持状态结束,只要该重合
与串行时钟( CLK )为低。
如果下降沿不与串行时钟(CLK )为低一致时,保持条件AF-开始
器串行时钟( CLK )下一个变低。类似地,如果上升沿不与串行时钟重合
( CLK )为低,保持状态结束串行时钟( CLK )后,下一个变低。 (这示于
图4 ) 。
在保持状态下,串行数据输出( DO )是高阻抗,以及串行数据输入( DI )
和串行时钟( CLK )的不在乎。
通常情况下,器件将保持选中,带片选( CS # )驱动为低电平,并对其持续时间
保持状态。这是为了确保在内部逻辑的状态保持不变的
瞬间进入保持状态的。
如果片选(CS # )变高,而该设备在保持条件,这具有的效果
复位装置的内部逻辑。重新启动与该设备的通信,有必要
开车保持(HOLD )高,然后驱动芯片选择( CS # )低。这可防止设备
回到保持状态。
图4.保持状态的波形
该数据表可以通过后续的版本中修改
或修改,由于改变的技术规格。
9
©2004宙硅解决方案公司, www.essi.com.tw
版本B ,发行日期: 2008年6月23日