EN25D16
操作特性
SPI模式
该EN25D16通过一个SPI兼容总线组成的四个信号访问：串行时钟
（ CLK ） ，片选信号（ CS ＃ ） ，串行数据输入（ DI ）和串行数据输出（ DO ） 。两个SPI总线
操作模式0 （ 0,0）和3 （ 1,1）的支持。模式0和之间的主要区别
模式3中，如图3所示，是关于在CLK信号的SPI总线时的正常状态
主站是在待机和数据不被传输到串行闪存。对于模式0 CLK信号
通常很低。模式3 CLK信号通常较高。在这两种情况下，数据输入的DI引脚
采样在CLK的上升沿。在DO引脚的数据输出同步输出下降沿
的CLK 。
图3. SPI模式
双输出的SPI
该EN25D16支持双输出操作使用“双输出快速阅读”的时候（ 3 BH ）
指令。此功能允许将数据从串行闪存存储器传送的速率两倍
可能与标准的SPI 。该指令适用于快速下载代码从Flash到
在上电时（代码阴影）或应用程序缓存的代码段到RAM的内存
执行。双输出功能，只需允许SPI输入引脚也可以作为在输出
该指令。所有其他的操作使用标准SPI接口与单个输出信号。
网页编程
以编程一个数据字节时，两条指令必须：写使能（WREN ），这是一个字节，
和一个页编程（PP）的序列，它由4个字节加上数据。这之后是
内部编程周期的持续时间T （
PP
).
为了传播这种开销，页面编程（ PP ）指令允许最多256个字节是亲
编程的时间（改变位从1变为0 ） ，只要它们存在于连续的地址上
相同的内存页。
扇区擦除，块擦除和芯片擦除
在页编程（PP）的指令允许位被从1重置为0。在此之前可以应用
内存的字节必须被擦除，以全1 （ FFH ） 。这可以在一个可以实现的扇区
时间，使用的扇区擦除（ SE ）指令，一次一个块使用块擦除（ BE ）
指令或者整个内存，使用芯片擦除（ CE ）指令。这将启动
内部擦除周期的持续时间T （
SE
t
BE
或T
CE
） 。 ERASE指令前必须有一个写
使能（WREN ）指令。
投票在写，编程或擦除周期
在写状态寄存器（ WRSR ） ，计划（ PP ）或删除（ SE时间的进一步改进， BE
或CE ）可以通过不等待最坏情况下的延迟（T实现
W
, t
PP
, t
SE
, t
BE
或T
CE
） 。写在
制品（WIP ）位设置在状态寄存器，以使应用程序可以监视其
值，轮询它建立在以前的写周期，项目周期或擦除周期完成。
该数据表可以通过后续的版本中修改
或修改，由于改变的技术规格。
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©2004宙硅解决方案公司， www.essi.com.tw
版本B ，发行日期： 2008年6月23日
EON [ EON SILICON SOLUTION INC. ]
