EN25LF40
是状态寄存器中的状态和控制位，如下所示：
WIP位。
写在制品（WIP ）位表明内存是否忙于写状态
注册，编程或擦除周期。当设置为1时，这样的循环过程中，当复位为0否
这样周期正在进行中。
WEL位。
写使能锁存器（ WEL）位表示内部写使能锁存状态。
当设置为1 ，内部写使能锁存器设置，当设置为0时，内部写使能锁存器
复位并没有写状态寄存器，编程或擦除指令被接受。
BP2 ， BP1 ， BP0位。
块保护（ BP2 ， BP1 ， BP0 ）位是非易失性的。他们定义的大小
面积要软件免受编程和擦除指令。这些位被写入
与写状态寄存器（ WRSR ）指令。当一个或两个块保护（ BP2， BP1的，
BP0 ）位被设置为1 ，则相应的存储器区域（如在表3中定义）变成对保护
页编程（ PP ）扇区擦除（ SE ）和块擦除（ BE ） ，说明书。块保护（ BP2 ，
BP1，BP0 ）位可以写入提供的硬件保护模式没有被设置。该
当且仅当芯片擦除（ CE ）指令被执行，无论是块保护（ BP2 ， BP1 ， BP0 ）位为0 。
保留位。
状态寄存器位5和6是为将来使用而保留的。目前的设备将
读为0这些位。建议测试时屏蔽掉的保留位
状态寄存器。这样做将保证与未来器件的兼容性。
SRP位/ OTP_LOCK位。
状态寄存器保护（ SRP ）位与操作相结合
写保护（ WP ＃ ）信号。状态寄存器写保护（ SRP）位和写保护（ WP ＃ ）
信号允许设备放在硬件保护模式（当状态寄存器的保护
（SRP）位被设置为1 ，并写保护（WP ＃ ）被驱动为低电平） 。在这种模式中，非挥发性的位
状态寄存器（ SRP ， BP2 ， BP1 ， BP0 ）变为只读位和写状态寄存器（ WRSR ）
指令不再接受执行。
在OTP模式，该位曾担任OTP_LOCK位，用户可以读取/编程/擦除OTP部门
正常扇区而OTP_LOCK值等于0时，之后OTP_LOCK由WRSR编程1
命令，对OTP扇区被保护程序和擦除操作。该OTP_LOCK位可
仅一次被编程。
注意：
在OTP模式下， WRSR命令将忽略任何输入数据和程序OTP_LOCK位为1 ，用户
必须清除保护位前进入OTP模式和编程OTP代码，然后执行WRSR命令
临行前OTP模式锁定OTP部门。
写状态寄存器（ WRSR ） （ 01H ）
写状态寄存器（ WRSR ）指令允许新的值写入到状态寄存器。
才可以被接受，一个写使能（ WREN）指令必须先前已被执行死刑。
写使能（ WREN）指令被译码和执行后，设备将
写使能锁存器（ WEL ） 。
写状态寄存器（ WRSR ）指令是由驱动芯片选择（ CS ＃ ）低输入，然后
通过指令代码和串行数据输入（ DI ）的数据字节。
该指令序列示于图8中。该写状态寄存器（WRSR ）指令具有
在S6 ， S5 ， S1和状态寄存器S0没有影响。 S6和S5总是读出0片选
（CS ＃ ）必须驱动高的数据字节的第八位被锁存后，如果不是，则写
不执行状态寄存器（ WRSR ）指令。当片选（ CS ＃ ）驱动为高电平，
自定时写状态寄存器周期（其持续时间为t
W
）被启动。而写状态
注册周期正在进行中，状态寄存器仍可以读出检查写入的值。在
制品（WIP ）位。写在制品（WIP ）位在自定时写状态寄存器1
周期，并且是0时，它被完成。当循环完成后，写使能锁存器（ WEL ）是
复位。
写状态寄存器（ WRSR ）指令允许用户更改块的值
保护（ BP2 ，BP1，BP0 ）位，以确定要被处理为只读的，如DE-的区域的大小
该数据表可以通过后续的版本中修改
或修改，由于改变的技术规格。
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©2004宙硅解决方案公司， www.essi.com.tw
版本C ，发行日期： 2008年6月23日
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