EN25LF40
释放由深
掉电
制造商/
器件ID
阅读鉴定
进入OTP模式
90h
9Fh
3Ah
DUMMY
(M7-M0)
DUMMY
(ID15-ID8)
00h(5)
(ID7-ID0)
(M7-M0)
(ID7-ID0)
注意事项：
1.数据的字节偏移与最高有效位。在括号中数据字节的字段“（）”表示数据被读取
在DO引脚的器件。
2.状态寄存器的内容将不断重复，直到CS ＃终止指令。
3.所有部门可能在行业内使用的任何地址。
4.设备ID将不断重复，直到CS ＃终止指令。
5.制造商ID和设备ID字节将不断重复，直到CS ＃终止指令。
00H的字节4开始与MID和相间DID ， 01H的字节4开始与DID和相间MID 。
表5.制造商和设备标识
操作码
ABH
90h
9Fh
1Ch
1Ch
3113h
(M7-M0)
(ID15-ID0)
(ID7-ID0)
12h
12h
写使能（ WREN ） （ 06H ）
写使能（ WREN）指令（图5 ）设置写使能锁存器（ WEL ）位。写
使能锁存器（ WEL）位之前，必须设置到每一个页编程（ PP ） ，扇区擦除（ SE ） ，座
擦除（ BE ） ，芯片擦除（ CE ）和写状态寄存器（ WRSR ）指令。
写使能（ WREN）指令，通过驱动芯片选择（ CS ＃ ）低，送进入
指令代码，然后驱动芯片选择（ CS ＃ ）高。
图5.写使能指令序列图
写禁止（ WRDI ） （ 04H ）
写禁止指令（图6）复位写使能状态锁存（ WEL）位
注册一个0或退出OTP模式到正常模式。写禁止指令被输入
驱动芯片选择（ CS ＃ ）低，转移指令代码“ 04H ”到DI引脚，然后驱动芯片
选择（ CS ＃ ）高。请注意， WEL位后，启动和完成后自动复位
的写状态寄存器，页编程，扇区擦除，块擦除（ BE ）和芯片擦除
指令。
该数据表可以通过后续的版本中修改
或修改，由于改变的技术规格。
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©2004宙硅解决方案公司， www.essi.com.tw
版本C ，发行日期： 2008年6月23日
EON [ EON SILICON SOLUTION INC. ]
