EN25LF40
阅读以更高的速度（ FAST_READ ） （值0Bh ）数据字节
该设备通过驱动芯片选择（ CS ＃ ）低第一选择。对读数据的指令代码
字节在较高速度（ FAST_READ ）指令之后是3字节地址（ A23- A0）和一
伪字节，每个比特被在串行时钟（CLK ）的上升沿锁存式。然后，
存储器的内容，在该地址，被移出串行数据输出（ DO ） ，每一位被移出
出来，在最大频率FR，串行时钟（CLK ）的下降沿期间。
该指令序列示于图10的第一个字节地址可以是在任何位置。
地址会自动递增到下一个更高的地址后的数据的每个字节是SHIFT-
编出来。整个内存可以，因此，可以以更高的速度读取一个读取数据字节
（ FAST_READ ）指令。当达到最高地址时，地址计数器翻转到
000000 ，允许读序列被无限期地继续下去。
所读取的数据字节以更高的速度（ FAST_READ ）指令时，通过驱动芯片封端的
选择（ CS ＃ ）高。片选信号（ CS ＃ ），可驱动高的数据输出期间的任何时间。任何阅读
数据字节以更高的速度（ FAST_READ ）指令，而擦除，编程或写周期
进步，被拒绝，而不必在周期过程中的任何影响。
图10.快速读取指令序列图
页编程（ PP） （ 02H ）
在页编程（PP）的指令允许字节中的存储器进行编程。之前，它可以
接受，一个写使能（ WREN）指令必须先前已被执行死刑。写后
使能（WREN ）指令被解码时，设备将写使能锁存器（ WEL ） 。
在页编程（PP）的指令通过驱动片选（CS ＃ ）低输入，接着在 -
梁支码， 3字节的地址和在串行数据输入（DI ）中的至少一个数据字节。如果至少8
显著地址位（ A7 - A0 ）是不是所有的零，所有传输的数据超出的结束
当前页面是由同一页的起始地址编程（从它的8地址
至少显著位（ A7- A0）都为零） 。片选信号（ CS ＃ ）必须驱动为低电平整个
持续时间的顺序。
该数据表可以通过后续的版本中修改
或修改，由于改变的技术规格。
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©2004宙硅解决方案公司， www.essi.com.tw
版本C ，发行日期： 2008年6月23日
EON [ EON SILICON SOLUTION INC. ]
