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EN29LV400AB-70BI 参数 Datasheet PDF下载

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型号: EN29LV400AB-70BI
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内容描述: 4兆位( 512K ×8位/ 256K ×16位)闪存引导扇区快闪记忆体, CMOS 3.0伏只 [4 Megabit (512K X 8-bit / 256K X 16-bit) Flash Memory Boot Sector Flash Memory, CMOS 3.0 Volt-only]
分类和应用: 闪存
文件页数/大小: 41 页 / 378 K
品牌: EON [ EON SILICON SOLUTION INC. ]
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EN29LV400A
自动休眠模式
自动睡眠模式,最大限度地降低闪存器件的能耗。自动装置
使得当地址保持稳定吨这种模式
+为30ns 。自动睡眠模式
独立的CE # , WE#和OE #控制信号。标准地址的访问时序提供
当地址被改变的新数据。而在睡眠模式下,输出锁存并始终
系统可用的。 ICC
4
在DC特性表代表了自动睡眠更
目前的规范。
硬件数据保护
解锁周期的命令序列要求编程或擦除数据提供
防止意外写操作的命令定义表所示。此外,该
以下硬件的数据保护措施,防止意外删除或编程,这
否则可能会被错误的系统电平信号时的Vcc上电和断电引起
转换,或从系统中的噪声。
低V
CC
写禁止
当VCC低于V
LKO
,该设备不接受任何写周期。这期间保护数据
VCC上电和断电。命令寄存器和所有内部程序/擦除电路
残疾人和设备重置。随后的写操作被忽略,直到VCC电压大于V
LKO
。该
系统必须提供正确的信号给控制引脚时,防止无意识的Vcc
大于V
LKO
.
写脉冲“毛刺”保护
小于5纳秒(典型值)的OE #噪声脉冲, CE #或WE #不启动写周期。
逻辑INHIBIT
写周期是由持有OE # = VIL , CE # = VIH ,或WE# = VIH任何一个抑制。要启动
写周期, CE #和WE #必须是逻辑零,而OE #是一个合乎逻辑的。如果CE # , WE #和OE #
都是逻辑零(不推荐使用) ,它会被认为是读操作。
上电时禁止写入
上电过程中,设备会自动复位到读模式并锁定了写周期。连
与CE # = V
IL
, WE# = V
IL
和OE # = V
IH
,该设备将不接受的上升沿命令
WE# 。
该数据表可以通过后续的版本中修改
或修改,由于改变的技术规格。
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©2005宙硅解决方案公司, www.essi.com.tw
A版,发行日期: 2005年1月7日